过采样技术原理介绍

2012-06-19 15:38:12来源: 互联网

采样技术原理介绍

假定环境条件: 10位ADC最小分辨电压1LSB 为 1mv 

假定没有噪声引入的时候, ADC采样上的电压真实反映输入的电压, 那么小于1mv的话,如ADC在0.5mv是数据输出为0 
我们现在用4倍过采样来, 提高1位的分辨率, 
当我们引入较大幅值的白噪声: 1.2mv振幅(大于1LSB), 并在白噪声的不断变化的情况下, 多次采样, 那么我们得到的结果有 
真实被测电压    白噪声叠加电压    叠加后电压    ADC输出    ADC代表电压 
   0.5mv             1.2mv          1.7mv          1           1mv 
   0.5mv             0.6mv          1.1mv          1           1mv 
   0.5mv            -0.6mv         -0.1mv          0           0mv 
   0.5mv            -1.2mv         -0.7mv          0           0mv 
ADC的和为2mv, 那么平均值为: 2mv/4=0.5mv!!!  0.5mv就是我们想要得到的 
这里请留意, 我们平时做滤波的时候, 也是一样的操作喔!  那么为什么没有提高分辨率?????

是因为, 我们做滑动滤波的时候, 把有用的小数部分扔掉了, 因为超出了字长啊, 那么0.5取整后就是 0 了, 结果和没有过采样的时候一样是 0 ,  

而过采样的方法时候是需要保留小数部分的, 所以用4个样本的值, 但最后除的不是4, 而是2!  那么就保留了部分小数部分, 而提高了分辨率! 
从另一角度来说, 变相把ADC的结果放大了2倍(0.5*2=1mv), 并用更长的字长表示新的ADC值, 
这时候, 1LSB(ADC输出的位0)就不是表示1mv了, 而是表示0.5mv, 而(ADC输出的位1)才是原来表示1mv的数据位,  

下面来看看一下数据的变化: 

ADC值相应位                    9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 
0.5mv测量值                    0 0 0 0 0 0 0 0 0 0   0mv(10位ADC的分辨率1mv,小于1mv无法分辨,所以输出值为0)            
叠加白噪声的4次过采样值的和    0 0 0 0 0 0 0 0 1 0   2mv 
滑动平均滤波2mv/4次            0 0 0 0 0 0 0 0 0 0   0mv(平均数, 对改善分辨率没作用) 
过采样插值2mv/2              0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1   2mv/2=0.5mv, 将这个数作为11位ADC值, 那么代表就是0.5mv 
                                                     这里我们提高了1位的ADC分辨率 

这样说应该就很简单明白了吧, 其实多出来的位上的数据, 是通过统计输入量的分布, 计算出来的,  
而不是硬件真正分辨率出来的, 引入噪声并大于1LSB, 目的就是要使微小的输入信号叠加到ADC能识别的程度(原ADC最小分辨率). 

理论来说, 如果ADC速度够快, 可以无限提高ADC的分辨率, 这是概率和统计的结果 
但是ADC的采样速度限制, 过采样令到最后能被采样的信号频率越来越低, 
就拿stm32的ADC来说, 12ADC, 过采样带来的提高和局限 
分辨率   采样次数   每秒采样次数 
12ADC       1            1M 
13ADC       4            250K 
14ADC       16           62.5K 
15ADC       64           15.6K 
16ADC       256          3.9K 
17DC        1024         976 
18ADC       4096         244 
19ADC       16384        61 
20ADC       65536        15 
要记住, 这些采样次数, 还未包括我们 要做的 滑动滤波,  

看到这些文档, 啰啰嗦嗦说一大堆公式什么的, 忍不住就随便写了些

关键字:采样技术

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0619/article_16304.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
采样技术

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved