内存芯片识别方法

2012-04-03 09:48:35来源: 互联网

内存芯片识别方法

1.LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识; 
GM72V*****1**T** 
GM为LGS产品; 
72为SDRAM; 
第1,2个*代表容量,16为16Mbit,66为64Mbit; 
第3,4个*代表数据位宽,一般为4,8,16等,不补0; 
第5个*代表bank,2代表2个,4代表4个; 
第6个*代表是第几个版本的内核; 
第7个*如果是L就代表低功耗,空白为普通; 
“T”为TSOP II封装;“I”为BLP封装; 
最后的**代表速度: 
7:7ns(143MHz) 
7:7.5ns(133MHz) 
8:8ns(125MHz) 
7K:10ns(PC100 CL2&3) 
7J:10ns(PC100 CL3) 
10K:10ns(100MHz) 
12:12ns(83MHz) 
15:15ns(66MHz) 

2.Hyundai:现代的SDRAM芯片的标识 
HY5*************-** 
HY为现代产品, 
5*表示芯片类型,57为SDRAM,5D为DDR SDRAM; 
第2个*代表工作电压,空白为5伏,“V”为3;3伏,“U”为2;5伏; 
第3-5个*代表容量和刷新速度: 
16:16Mbit,4k Ref 
64:64Mbit,8k Ref 
65:64Mbit,4k Ref 
128:128Mbit,8k Ref 
129:128Mbit,4k Ref 
256:256Mbit,16k Ref 
257:256Mbit,8K Ref 
第6,7个*代表数据位宽,40,80,16,32分别代表4位,8位,16位和32位; 
第8个*代表bank,1,2,3分别为2,4,8个bank; 
第9个*一般为0,代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口; 
第10个*可为空白或A,B,C,D等,代表内核,越往后越新; 
第11个*如为L则为低功耗,空白为普通; 
第12,13个*代表封装形式; 
最后几位为速度: 
7:7ns(143MHz) 
8:8ns(133MHz) 
10P:10ns(PC100 CL2/3) 
10S:10ns(Pc100 CL3) 
10:10ns(100MHz) 
12:12ns(83MHz) 
15:15ns(66MHz) 

3.Micron: Micron的SDRAM芯片的标识; 
MT48****M**A*TG-*** 
MT为Micron的产品; 
48代表SDRAM,其后的**如为LC则为普通SDRAM; 
M后的**表示数据的位宽;4,8,16,32分别代表4位,8位,16位和32位; 
Micron的容量要自己算一下,将M前的**和其后的**相乘,得到的结果为容量; 
A*代表write recovery(tWR),如A2表示tWR=2clk 
TG为TSOP II 封装,LG为TGFP封装; 
最后的**代表速度: 
7:7ns(143MHz) 
75:7.5ns(133MHz) 
8*:8ns(125MHz),其中*为A-E,字母越往后越好; 
10:10ns(100MHz CL=3); 
例如:MT48LC8M8A2TG-8E,64Mbit(8*8),8位。  

如何根据内存芯片标识识别内存(二) 

---- 许多朋友都会遇到这样一个问题,在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别,在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制,这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。  

一、现代SDRAM内存芯片的识别  

---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

HY 5X X    XXX XX X X X X XX - XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨     ⑩  

---- “HY”表明是现代的产品。  

---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO,“57”为SDRAM,“5D”为DDR SDRAM。  

---- ②代表工作电压: “U”为2.5V,“V”为3.3V,空白代表5V。  

---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。  

---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。  

---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。  

---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”,代表LVTTL接口。  

---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代,“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。  

---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片,空白表示为正常功耗芯片。  

---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:  


“JC”: 400mil SOJ 
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ 
“TD”: TSOP-Ⅱ 
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD 

---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:  

“7”: 7ns(143MHz) 
“8”: 8ns(125MHz) 
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3) 
“10s”: 10ns(PC-100 CL3) 
“10”: 10ns(100MHz) 
“12”: 12ns(83MHz) 
“15”: 15ns(66MHz) 

二、LG SDRAM内存芯片的识别  

---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:  

GM72V XX XX X X X X X XX  
    ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  

---- “GM”代表LG的产品。  

---- “72”代表SDRAM。  

---- “V”代表工作电压为3.3V。  

---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。  

---- ②代表数据位宽: 其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。  

---- ③代表内存芯片内部Bank: 其中“2”表示2个Bank,“4”表示4个Bank。  

---- ④代表内存接口: “1”代表LVTTL。  

---- ⑤代表内核版本。  

---- ⑥代表功耗: 其中“L”代表低功耗,空白则代表常规功耗。  

---- ⑦代表封装类型: “T”表明是TSOP-Ⅱ封装,如果是“I”则代表BLP封装。  

---- ⑧代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:  


“75”: 7.5ns(133MHz)

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编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0403/article_15588.html
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