内存条芯片参数

2012-04-03 09:47:28来源: 互联网

内存条芯片参数

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下:

1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。

2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)

3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18) 
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)

10. 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11. 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))

由上面14条注解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR 200的工作频率),那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好,它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时,首先要明白内存芯片编号的含义,在其编号中包括以下几个内容:厂商名称(代号)、容量、类型、工作速度等,有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较,就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下: 
▲ HY HYUNDAI ------- 现代 
▲ MT Micron ------- 美光 
▲ GM LG-Semicon 
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 
▲ HM Hitachi ------ 日立 
▲ MB Fujitsu ------ 富士通 
▲ TC Toshiba ------ 东芝 
▲ KM Samsung ------ 三星 
▲ KS KINGMAX ------ 胜创 
(2)内存芯片速度编号解释如下: 
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. 
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. 
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. 
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. 
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. 
(3) 编 号 形 式 
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. 
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V. 
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. 
dd表示带宽。 
f表示界面,0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2. 
g表示版本号,B—第三代。 
h表示电源功耗, L—低功耗; 空白—普通型。 
ii表示封装形式, TC—400mil TSOP—H. 
jj表示速度,7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 
10—100MHZ(非PC100)。 
例:1) HY57V651620B TC-75 
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 133MHZ. 
2) HY57V653220B TC-7 
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾):

序号 品牌 国家/地区 标识 备注 
1 三星 韩国 SAMSUNG 
2 现代 韩国 HY 
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并 
4 迈克龙 美国 MT 
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 
6 日电 日本 NEC 
7 日立 日本 HITACHI 
8 冲电气 日本 OKI 
9 东芝 日本 TOSHIBA 
10 富士通 日本 F 
11 西门子 德国 SIEMENS 
12 联华 台湾 UMC 
13 南亚 台湾 NANYA 
14 茂矽 台湾 MOSEI

SAMSUNG内存

体含义解释:
例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。

注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Hynix(Hyundai)现代

现代内存的含义:
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
  1、HY代表是现代的产品 

  2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM); 

  3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V  

  4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref 

  5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 

  6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系 

  7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 

  8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新 

  9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片 

  10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ 

  11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A

Infineon(亿恒)

Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。

1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。 

KINGMAX、kti

KINGMAX内存的说明

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。

Micron(美光)

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。

实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。

[1] [2]

关键字:内存条  芯片参数

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0403/article_15586.html
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