DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

2012-03-31 14:41:48来源: 互联网 关键字:DS1265W  SRAM

DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

  关键特性

  在没有外部电源时下最少可以保存数据10年

  掉电期间数据被自动保护

  没有写次数限制

  低功耗CMOS操作

  100ns的读写存取时间

  第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态

  可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

  通过美国保险商实验室协会(UL)认证

关键字:DS1265W  SRAM

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0331/article_15566.html
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