DS1250 4096k、非易失SRAM

2012-03-31 14:37:36来源: 互联网

DS1250 4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

  关键特性

  无外部电源时最少可以保存数据10年

  掉电期间数据被自动保护

  替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存

  没有写次数限制

  低功耗CMOS操作

  70ns的读写存取时间

  第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态

  ±10% VCC工作范围(DS1250Y)

  可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)

  可选的工业级温度范围:-40°C至+85°C,指定为IND

  JEDEC标准的32引脚DIP封装

  PowerCap模块(PCM)封装

  表面贴装模块

  可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池

  所有非易失SRAM器件提供标准引脚

  分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸

关键字:DS1250  4096k  SRAM

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0331/article_15563.html
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