改造低频ISM发送器使其支持高频应用

2012-03-22 14:42:59来源: 互联网
引言

  低频(300MHz至450MHz) ISM RF发送器已广泛用于欧洲434MHz市场,这也是美国260MHz至470MHz频段的重要频点。本文介绍了如何使用现有的低频段RF IC构建868MHz发送器,以支持欧洲868MHz至870MHz免授权频段应用。

  本文重点讨论了一系列测试,分析采用一个或多个设计用于300MHz至450MHz ISM频段的RF发送器在868MHz频率下所能提供的发射功率。

  理论挑战

  对于大多数低频ISM发射器,其开关功率放大器(PA)产生的二次谐波仅比基波频率低3dB。如果允许牺牲部分效率和功率性能,是否可以采用设计用于434MHz的IC来构建868MHz ASK发送器呢?由于相位噪声密度仅仅满足欧洲电信标准协会(ETSI)对于欧洲434MHz免授权波段的带外辐射标准要求,该相位噪声密度无法满足868MHz频段更为严格的要求。但这并不意味着设计868MHz ASK发送器没有任何价值。一些用户可能只需要很低的发射功率,或者只需对低频段IC的振荡器进行一些修改,并不需要进行全新的设计。

  开关功率放大器的RF频谱

  大多数低频ISM RF发送器中,开关功率放大器会产生占空比为0.25的周期脉冲,该脉冲序列的周期即为载波周期。理论上,脉冲序列的频谱是一组位于载频整数倍频点、以均匀间隔排列的谱线。每条谱线的幅度由函数sinc (sinx/x)加权,其中在4倍载频的整数倍频点处,幅度为零。图1给出了434MHz载波频谱的前六次谐波。868MHz分量(二次谐波)仅比基频434MHz低3dB。事实上,电路中的开关放大器只是驱动一个调谐电路,而电路特性主要取决于对基频谐波的抑制能力。如果调谐电路具有相对较宽的频带,那么它在868MHz处的辐射功率与基频功率的差值就会小于3dB。

  

图1. 434MHz频点处,25%占空比RF脉冲的基波与谐波理论功率

 

  图1. 434MHz频点处,25%占空比RF脉冲的基波与谐波理论功率

  将MAX7044EVKIT的谐波滤波器去掉,同时将偏置电感更改为62nH (这个值与2pF至2.5pF的寄生电容产生谐振),可以在此评估板上验证3dB的差异。由L-C组成的谐振电路具有较宽的频带。因此,当功率放大器输出直接连接到50Ω负载时,不会大幅衰减868MHz处的谐波。图2所示为频谱分析仪在434MHz和868MHz频点的显示结果。868MHz分量比434MHz分量低3.5dB,这说明谐振电路衰减了0.5dB。

  

图2. MAX7044EVKIT的ISM发送器工作在434MHz时的频谱

 

  图2. MAX7044EVKIT的ISM发送器工作在434MHz时的频谱

  下一步是修改匹配网络以增强868MHz二次谐波,并衰减434MHz基频。

  修改天线匹配电路以支持868MHz系统

434MHz匹配网络拓扑

  利用已有的434MHz频段拓扑结构对MAX7044EVKIT进行修改,使其支持868MHz频点应用。所有ISM RF发送器评估板的匹配网络在300MHz至450MHz频段具有相同的拓扑结构,如图3所示。图中器件标号与MAX7044EVKIT评估板标示相同。

  

图3. MAX7044EVKIT的匹配网络和器件标号

 

  图3. MAX7044EVKIT的匹配网络和器件标号

  采用这种拓扑结构时,有多种方法可以将电路匹配至50Ω负载。最直接的方法是将C2-L3-C6的π型网络配置为50Ω低通滤波器来抑制谐波。然后,使用C1-L1组成的“L”型窄带阻抗变换网络将50Ω变换到高阻。除了280MHz至450MHz、可编程发送器MAX7044和MAX7060外,所有Maxim ISM RF低频段发送器在驱动125Ω至250Ω负载时的功效是最高的。MAX7044在低频驱动50Ω至60Ω负载时具有最高发射功率(2.7V供电时为13dBm)。增大发送器功率放大器输出端的阻抗,可以降低发射功率和供电电流。正常工作在低频时,选择电感和电容用于匹配功率放大器在设计频率下要求的阻抗。对于MAX7044EVKIT,LC网络在433.92MHz时能够很好地匹配在50Ω负载。

  以下实验的目的是改变433.92MHz评估板的匹配网络(使其在868MHz下能够很好地匹配),同时降低其在434MHz频点的发射功率。

  功率放大器输出电路调谐至868MHz

  设计868MHz频率下的匹配电路,第一步是尝试可行的、最简单的匹配方案,即功率放大器输出端连接至50Ω电阻的868MHz谐振电路。这种方式用于产生图1中的基线频谱。然而,这种情况下,偏置电感与功率放大器引脚的寄生电容谐振工作在868MHz (而不是434MHz)。如配置为图4所示原理图,MAX7044EVKIT功率放大器偏置电感需由62nH (434MHz谐振电路)改为16nH (868MHz谐振电路)。另外,移除π型网络中的并联电容,将串联电感替换为0Ω电阻。最后,将π型网络与偏置电感之间的串联电容C1改为47pF,作为868MHz的隔直电容。

  

图4. MAX7044EVKIT工作在868MHz时的简单谐振电路匹配网络

 

  图4. MAX7044EVKIT工作在868MHz时的简单谐振电路匹配网络

  下面列出了434MHz基频及前4次谐波的功率测量值。图5给出了434MHz和868MHz处的频谱分量,频率值四舍五入至最接近的1MHz内。

  VDD = 2.7V,I = 16.83mA,IPLL = 2.06mA,IPA = I –IPLL = 14.77mA

  P(434MHz) = +9.0dBm

  P(868MHz) = +8.65dBm

  P(1302MHz) = +4.5dBm

  P(1736MHz) = -3.0dBm

  功率放大器总效率(全部四个频点的功率/(VDD × IPA)) = 46.6%

  868MHz频点处功率放大器的效率 = 18.4%。

  

图5. MAX7044EVKIT谐振电路调谐至868MHz时的频谱

 

  图5. MAX7044EVKIT谐振电路调谐至868MHz时的频谱

  由于868MHz谐振电路的带宽比434MHz谐振电路的带宽窄(寄生电容相同,因而电感为原来的四分之一),这样能够充分抑制434MHz处的基频,使得基频和二次谐波的功率大小几乎相等。谐振电路的这种简单修改将868MHz与434MHz处的功率比改善了将近3dB。

  868MHz频点下的高通匹配

  接下来,将低通π型网络改为高通网络,进一步衰减434MHz分量。16nH功率放大器偏置电感和串联电容(47pF)保持不变,π型网络(通常用作低通滤波器,抑制高次谐波)更改为简单的高通L型网络,从而将天线连接器处的50Ω阻抗转换为功率放大器输出端的200Ω。在此选用更为简单的L型网络替代完整的π型网络,可以最大程度地减少对元件的改动,保证可行性。由于采用L型网络后功率放大器输出端的等效阻抗为200Ω (而不是50Ω),其发射功率的电流损耗低于50Ω负载时的电流。

  

图6. 高通L型阻抗转换网络

 

  图6. 高通L型阻抗转换网络

  下面列出了434MHz处基频及前4次谐波的功率测量值。图7给出了434MHz和868MHz处频谱分量,频率值四舍五入至最接近的1MHz内。

  VDD = 2.7V,IDC = 18.1mA,IPLL = 2.06mA,IPA = IDC – IPLL = 16.04mA

  P(434MHz) = +2.5dBm

  P(868MHz) = +11.2dBm

  P(1302MHz) = +4.0dBm

  P(1736MHz) = -3.2dBm

  总效率(全部四个频点) = 41.5%

  868MHz频点处的效率 = 30.4%。

  

图7. MAX7044EVKIT采用868MHz谐振电路和高通L型网络时的频谱

 

  图7. MAX7044EVKIT采用868MHz谐振电路和高通L型网络时的频谱

  高通L型匹配网络进一步衰减了434MHz分量,将868MHz分量的效率大幅提升至30.5%。这意味着对现有匹配网络做少许改动,即可使868MHz信号在50Ω天线处产生大于10dBm的发射功率。

匹配网络简单改动的总结

  减小MAX7044EVKIT的偏置电感值,与IC和电路板电容共同构成868MHz谐振电路。这样使得434MHz和868MHz频点处的功率大小相同。采用简单的高通L型匹配网络替换谐波滤波器,将868MHz与434MHz的功率比提升9dB,使得868MHz成为主发射频率。虽然在功效上有少许损耗,但是电路仍然能够发射功率大于10dBm的868MHz信号。此外,还可对电路做更多的修改,以进一步提高868MHz与434MHz基频和高次谐波的功率比。

  下一步工作的建议

  上述简单的修改验证了通过更改外部元件可以显著提高发送器IC的二次谐波功率(相对于基频功率),同时还保持了较高的发射信号功率。这是一个很好的开端,但要发射符合868MHz欧洲免授权频段和美国915MHz频段要求的信号,还需要克服很多困难。

  进一步提升868MHz分量

  提高谐振电路的Q值(由偏置电感和功率放大器的对地电容组成),可以提高868MHz分量,具体可通过在功率放大器输出引脚增加一个对地电容、并且减小偏置电感来实现。在该实验中,偏置电感降至16nH,与电路板和IC上的寄生电容组成谐振电路。在保证每个元件的空载Q值不会显著影响整体效率的前提下,可以将电感进一步降至5nH至10nH范围,并将总旁路电容增大至约6pF。

  在图6的C6位置增加一个并联电感构建高通π型网络,并调整电感值,可以改善高通L型匹配网络对434MHz的抑制性能。精心选择π型网络中的三个元件,可以使其对434MHz分量的抑制能力提高25dB或30dB,但是对于满足ETSI要求(如果868MHz发射信号功率为+10dBm,则所有杂散辐射均低于-36dBm)还差46dB。本文接下来将继续探讨改善抑制性能的建议方案。

  保证发送器效率

  上述改动的重点是提高868MHz分量并抑制434MHz分量,但这些改动将功率放大器效率由50% (434MHz发射信号)降为30% (868MHz发射信号),后续的434MHz信号抑制方案可能还会进一步影响效率。在针对434MHz发射信号设计匹配网络的早期测试中可以发现,当434MHz匹配网络失谐时,直流电流损耗会随之增大。如果典型滤波器是通过降低频点处的匹配性能来抑制这些频率的话,很显然,这些测试中的电流损耗将进一步增大。那么,如何在不显著增大直流电流、降低效率的前提下改善434MHz的抑制性能呢?

  双工器方案

双工器常用于双通道接收系统,用于连接公共接收天线和两个接收器,每个接收器调谐在不同频率。双工器在两个频率下均能够为天线提供很好的匹配。如果用功率放大器替换接收天线,则会提供独立的434MHz和868MHz通道。868MHz通道连接至发射天线,434MHz通道连接至电路板的阻性负载。这种配置与简单的868MHz滤波器相比有两个优势:434MHz分量能

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关键字:低频  ISM  发送器  高频

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0322/article_15339.html
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