下桥臂IGBT驱动电路图-原理图

2012-03-19 14:26:14来源: 互联网
在利用下臂驱动器驱动比150 A/1 200 V更大的IGBT时,可外接电流缓冲器,以扩大其驱动能力。由图2的工作时序可知,当DESAT端电压超过7 V时,产生过流。IGBT下桥臂驱动电路图如图3所示。

    图3中电源+5 V、VB+、VB-(VB+与VB-的电压均为25 V)为器件提供工作电压。与16引脚相连的电位符号IGBTBE和IGBT模块下桥臂的发射极相连,与11引脚相连的IGBTBG1~3分别和下桥臂的门极相接,控制IGBT的导通和关断。当14引脚DESAT的电压高于7 V检测到过流信号或VCC欠压时,6引脚FAULT为低电平,器件自动闭锁所有输出,用于保护IGBT模块,同时向微处理器发出一个报警信号。

    3 上桥臂驱动器HCPL-3120

    上桥臂驱动HCPL-3120是由磷砷化镓光耦合器和功率输出电路组成,其主要特征:8引脚双列直插封装;驱动电路的最大输出电流峰值为2.0 A;最小共模抑制比为15 kV/μs;最大低电平为0.5 V,无需极负压;最大供电电流为5 mA;电源电压范围为15 V~30 V;最大开关速度为0.5斗s;具有滞环欠压锁定输出(UVLO)功能。HCPL-3120的内部结构框图如图4所示。HCPL-3120输出电路具有宽限工作电压范围,使其易于提供门控器件所需的驱动电压。它适于额定容量为1 200 V/100 A的IGBT。对于更高容量的IGBT,可外接电流缓冲器,以扩展其驱动能力。上桥臂IGBT驱动电路的原理图如图5所示。

图5中。VU+与VU-电压为25 V,输出端(Vo)IGBTTG1和IGBT模块上桥臂中U项的一个门极相连接,IGBTTE1和发射极相连接,从而控制IGBT的导通和关断。

    4 实验结果及分析

    图6是测试时从示波器上获取的。从图中看到正向驱动电压为+16.5 V,负向驱动电压为-7.5 V;采用此种方式能够有效、快速地导通和关断IGBT,减少了导通和关断过程中的损耗。

关键字:下桥臂  IGBT  驱动电路图  原理图

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2012/0319/article_15267.html
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