电源完整性设计之ESR对反谐振的影响

2011-12-14 15:42:21来源: 互联网
ESR对反谐振(Anti-Resonance)的影响

Anti-Resonance 给电源去耦带来麻烦,但幸运的是,实际情况不会像图12显示的那么糟糕。

实际电容除了LC之外,还存在等效串联电阻ESR。

因此,反谐振点处的阻抗也不会是无限大的。实际上,可以通过计算得到反谐振点处的阻抗为 

现代工艺生产的贴片电容,等效串联阻抗很低,因此就有办法控制电容并联去耦时反谐振点处的阻抗。

等效串联电阻ESR使整个电源分配系统的阻抗特性趋于平坦。

 

其中,X为反谐振点处单个电容的阻抗虚部(均相等)。

关键字:电源完整性  ESR对  反谐振

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/1214/article_13509.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
电源完整性
ESR对
反谐振

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved