基于专用晶体管的非对称Doherty技术

2011-12-05 22:43:58来源: 互联网 关键字:晶体管  非对称  Doherty
引言

  通用对称Doherty放大器现已在蜂窝基站中广泛使用。

  飞思卡尔半导体针对2.11GHz~2.17GHz频段的3G市场推出的方案是,提供包含两个专用LDMOS器件的芯片集,用于非对称Doherty拓扑。该放大器的目标是要实现56dBm的峰值功率,以便在放大器输出实现50W~60W的平均功率,并提供适当余量以使用当前的3G信号:峰均功率比(PAR)在6dB~7dB之间的两个WCDMA载频。

  现有设计要与更高性能的放大器之间实现平滑过渡,必须采用下列设计选项:在载频和峰值器件之间应用1dB非对称电平,优化内部匹配网络来允许宽带放大器设计(是规定带宽的3倍)。此外,为提高视频带宽(VBW),减少对存储器的影响,抑制调整和简化放大器设计人员的现场工作,专门设计了特定偏置电路,集成在晶体管中。

  综合偏置法

  AB类偏置电路是为了给RF晶体管栅极提供一个电压,以固定静电流(Idq)。为实现这一目的,必须在带RF晶体管的相同芯片上集成小型参考晶体管,并在其里面注入静电流刻度值。该参考的栅压复制到RF晶体管栅极。在参考和RF晶体管之间插入一个缓冲器,以视频频率提供很低的阻抗,从而抑制任何外部栅极解耦。缓冲器电压直接从RF晶体管(Vdd)的漏极中获取。此类配置提供理想的、非常快速的热补偿,这在外部是不能实现的。

  图1所示为偏置电路的电气示意图。

  

偏置电路电气示意图

 

  图1 偏置电路电气示意图

  在Doherty中,载流子(主)放大器使用AB类偏置,峰值(从)放大器将使用C类偏置。设置峰值偏置的常用方法是,评估AB类栅压,然后应用固定的电压增量来控制峰值开始出现的点。C类偏置由原来的AB类偏置电路演变而来,AB类设置通常在内部是固定的,Vdelta 是唯一可外部控制的。在这两个偏置电路中,可轻松发现它们还提供流程补偿,在生产中不需要任何调整。

  载流子和峰化晶体管

  载流子和峰化晶体管设计用于满足综合偏置电路的要求,同时允许宽频匹配和高阻抗。图2所示为一个载流子晶体管的内部示意图,其中活动芯片包括RF晶体管、偏置电路和输入预匹配元素。

  

载流子(主)晶体管示意图

 

  图2 载流子(主)晶体管示意图

  输入口添加了系列电容器,以便将栅压与外部控制电压隔开,从而允许使用常规的2引脚封装。输出预匹配基于一个2小区的网络,同时实现高阻抗和宽带功能。

  峰值晶体管基于相同技术,只不过它采用C类偏置电路。预匹配单元只需略微修改,就能适应载流子和峰化器件(1dB)之间栅极外设的不同。峰值晶体管内部示意图如图3所示。

  

峰值(从)晶体管示意图

 

  图3 峰值(从)晶体管示意图

  与占用几乎相同硅面积的载流子芯片相比,峰值芯片由于利用Doherty操作中峰值晶体管功耗更低这一优势,因而密度更紧凑。因此,两个晶体管可采用相同的封装。以这两款晶体管为基础设计了单体放大器,并从RF和DC的角度验证了其性能。功耗为1dB时,载流子晶体管的功率为160W,而峰值晶体管的功率为200W。两个偏置电路的热补偿在AB类中几乎都非常理想(峰值晶体管用Vdelta=0V来测试)。值得注意的是,LDMOS晶体管里门限电压的热系数与电流有关。AB类和C类中需要应用不同的系数。

最终采用两个晶体管的Doherty放大器使用了Wilkinson输入分配器,该分配器当然是非对称的,而输出合成器是一个使用四分之一波长变压器(非对称电平为1dB)的常规设备。PCB材料是来自Taconic的RF35,其绝缘厚度是0.51mm(20mils),足以满足业内当前使用的PCB的要求。

  图4所示为载频放大器拓扑图。

  

载频放大器拓扑图

 

  图4 载频放大器图

  此处显示的简单栅极DC偏置网络包括一个1kΩ的串联电阻器,因为IC里集成了所有必须的低频解耦电容器。

  CW测量结果

  Doherty放大器测量首先在小信号下的CW中执行,在矢量网络分析器(VNA)上提供快速扫频。

  图5所示为宽带响应曲线,允许对放大器进行“全面检查”。

  

 

  图5 宽带S参数

  该放大器采用AB类偏置,在1dB压缩点时可提供55dBm(315W)功率,3dB压缩点时提供56dBm(400W)功率。Doherty运行的优化策略现在变为调整峰值偏置,实现在55dBm功率时获得3dB压缩点。图6所示为整个UMTS频段的功率扫描结果。

  

 

  图6 增益和漏极效率,CW功率扫描

  Doherty的影响可从增益和效率曲线图上看到。注意,由于测试台限制,效率不能通过快速功率扫描测得,而需要通过纯CW信号测得,这正好可以解释曲线右侧末端缺失的原因(消耗的功率太高)。现在已经在各种温度上进行了测量,如图7所示,热补偿基本上比较理想。

  

 

  图7 增益和输出电压,温度补偿结果

  这证明集成偏置电路的功能能够满足AB类和C类操作的需求,并且能够让热系数适应这个偏置水平。

视频带宽对3G放大器很重要。为了使自适应预失真系统实现良好的线性,放大器需要正确放大调制信号,提供比应用的初始信号更宽的频带。事实上,放大器输入处出现的额外失真有望抵消输出生成的失真,频带超出初始频带数倍。设计的目标是支持带两个载频的WCDMA应用,间隔为5MHz,这意味着信号频率需要为10MHz左右,而VBW的目标是40MHz。如图8所示,在常规双音调测试中,共鸣的频率大约为60MHz。

  

 

  图8 双音调测试,视频带宽

  这一限制来自漏极馈线与晶体管内部电容器的共鸣(Cd以及匹配元素)。输入产生的影响无法观察。因为集成偏置的缘故(根据模拟所做的估算),可以假定100MHz以上的频率产生影响。总之,当UMTS波段达到28V时,CW可实现下列性能:56dBm峰值功率,8dB时可从峰值功率中获得17dB增益,8dB时可从峰值功率中实现42%的效率,VBW=60MHz(共鸣)。

  综合信号结果

  评估的第二部分是复杂的信号测量。测试使用的信号是2个WCDMA载频,采用5MHz为间隔并进行削波,以使PAR=6.5dB。所有测量都是在2.14GHz频率时完成的,其中Vdd=28V,测试台上配置有数字自适应预失真器。该设备专用于提供关于Doherty线性化和可实现的最大性能的信息。

  图9所示为数字预失真(DPD)之前和之后的邻信道功率(ACP)和输出平均功率之比。

  

 

  图9 调制信号测试,2载频WCDMA ACP

  可以看到,在功率高达49.5dBm时,线性化能够删除几乎所有失真。高于这个电平就不可能了。49.5dBm(90W)是放大器开始对信号进行削波的电平,这意味着此电平的输出峰值功率会上升为56dBm(49.5dBm+6.5dB)。 这与前面的CW测量有密切的关系。

  还有一个非常有意思的现象,即线性化曲线在49.5dBm时出现明显的“拐弯”。这意味着,在信号饱和并发生削波之前,放大器不会生成难以消除的失真或对存储器造成较大的影响。为了对这些内容进行确认,对图10进行观察,会发现线性化后输出信号的PAR几乎是在50dBm时获得的,这也确认了放大器的饱和功率电平。

  

 

  图10 调制信号测试,2个载频WCDMA 的PAR和效率

  注意,在这个功率电平上(49.5dBm/90W),效率是44%,相当于比该功率电平的常规对称Doherty提高了2~3个百分点。总之,与两个WCDMA载频和28V/2.14GHz的6.5dB PAR相比,此处可实现的性能包括:最大平均功率49.5dBm(90W);在49.5dBm时完成线性化后,ACP达到-55dBc;49.5dBm时效率为44%。

  结语

  使用飞思卡尔两个专用LDMOS器件,可构建简单而高效的非对称Doherty放大器,并达到400W的峰值功率。载流子和峰值晶体管包含的集成偏置允许抑制偏置调整,从而简化栅极馈线,提供高视频带宽,同时确保几近理想的热补偿。所选的非对称电平(1dB)级别可以将Doherty的效率提高2~3个百分点。演示器显示在利用2个WCDMA载频和6.5dB PAR进行线性化后,峰值功率可达到56dBm,平均功率达到49.5dBm(90W)(包括17dB增益),效率为44%,ACP为55dBc 。根据能确保基站放大器生产性能的余量,可估算这款Doherty产品在 47dBm(56W)与48dBm(63W)之间的功率电平时能达到40%左右的效率。具体情况将视系统显示和线性化程度而定。

关键字:晶体管  非对称  Doherty

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/1205/article_13334.html
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