晶体硅太阳能电池制造工艺详解

2011-11-03 14:53:26来源: 互联网
晶体硅太阳能电池制造工艺详解

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下:

(1) 切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。
(2) 清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um。
(3) 制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
(4) 磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um。
(5) 周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
(6) 去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。
(7) 制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
(8) 制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。
(9) 烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
(10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。

  由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求,这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

关键字:晶体硅  太阳能  电池

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/1103/article_12904.html
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