新型硅铜工艺提升手持设备中射频电子系统性能

2011-11-03 14:08:13来源: 互联网
安森美半导体公司(ON Semiconductor)近日宣布了一项新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这项新工艺是该公司增强既有的HighQ硅铜(copper on silicon) IPD技术,第二层的铜层厚度仅为5μm,增强了电感性能,提高了灵活性,配合设计高精度、高性价比的集成无源元件,可用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。

HighQ IPD2工艺采用8英寸晶圆技术,典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器,用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势,例如,降低成本、减小厚度、减小占位面积,获得更高性能(等同于延长电池使用时间)。

该公司为IPD2工艺技术提供了全功能设计工具和设计支援,以及快速的原型制造能力,可以帮助潜在用户快速和高性价比地评估原有的IPD是否适合转换至IPD2工艺,不管是复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚较昂贵的陶瓷方案,还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)方案。

关键字:硅铜  工艺提升  手持设备  射频  电子系统

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/1103/article_12891.html
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