初级侧控制IC设计可靠、高效的辅助电源

2011-10-30 18:37:47来源: 互联网
引言

  纵观电源的发展历程,开关电源的复杂性一直是其进入相对小产量应用市场的绊脚石。不过,如今集成初级侧控制IC可大大简化电源设计。其中,Power Integrations推出的LinkSwitch-CV是新一代初级侧控制IC的一个典范。

  采用LinkSwitch-CV的设计原理

  LinkSwitch-CV完全省去了光耦器和所有次级侧反馈电路。它适用于需要严格稳压、功率范围为3W~15W的辅助电源,如需要直接向微控制器供电,而无需低效率的线性稳压器。图1所示为一个完整的采用LinkSwitch-CV的6W反激式电源,它仅使用了24个元件。该电源可以将90VAC~264VAC范围内的交流输入电压转换为5V、1.2?A的单路隔离直流输出,在不同的负载、输入电压和温度下的输出稳压容差为±5%。

  

采用LinkSwitch-CV的6W反激式电源

 

  电路中的主要初级侧开关元件是集成在U1中的功率MOSFET。在使能状态下,U1中的控制逻辑在每个时钟周期开始时导通功率MOSFET。当电流达到限流点时,MOSFET会关断。控制器关断MOSFET后,变压器T1绕组间的电压开始反向,输出二极管D7被正向偏置,电流开始流入次级绕组,这样会补充输出电容C7和C8中的电荷,并将电流供应给负载。

  U1通过开/关控制来调节输出,具体方法是根据反馈引脚FB上的采样电压使能或禁止开关周期。输出电压检测是由变压器T1上的初级参考绕组来执行的。T1偏置绕组上的磁通与次级主功率绕组中的磁通直接成正比,因此可提供负载的电压及电流信息。由R3和R4组成的电阻分压器将绕组电压馈入U1。R3和R4的比率确定输出电压设定点。这种控制方法可补偿电感变化、其他元件容差及输入电压变化。这种对变压器反馈的创新性使用,是实现低功耗和低成本电源目标的关键设计要素。

  在高压开关关断2.5μs后,对FB引脚电压进行采样。如果检测电压高于1.86V阈值,会禁止随后的开关周期。相反,如果检测电压低于1.86V阈值,则会使能随后的开关周期。因此,通过调节使能与禁止周期的比率,可以使控制器维持输出稳压。开关控制可以使转换器的效率在整个负载范围内得到优化,并在极轻负载下维持效率恒定。该设计可实现在230VAC下空载功耗小于80mW,同时符合ENERGY STAR EPS v2.0带载效率要求(效率可达77%,要求为70%)。

  此设计的性能优势

  该电源可提供全面的短路输出及其他故障保护功能。LinkSwitch-CV内置的自动重启所产生的输出特征包络如图2所示。在检测到过流或短路故障时,U1将自动重启。在开始重新启动之前,功率MOSFET被禁止2.5s。如果故障仍然存在,自动重启将以大约8%的占空比交替使能和禁止功率MOSFET,直到故障排除为止。

  

 

  在导通周期的正激期间(开关导通时间),如果检测到FB引脚电流降低到120μA以下,U1将会启动开环故障响应。自动重启时间从200ms降低到大约6个时钟周期(90μs),同时使禁止周期维持在2.5s。这样可有效地将开环的自动重启占空比减小到0.01%以下。

  此外,可熔防火式电阻RF1可提供进一步保护。这样可限制启动时产生的浪涌电流,提供严重故障保护。

  在出现过热的情况下还可关断电路。当结温超过142℃(±5%)时,功率MOSFET开关被禁止,直到结温度下降至60℃,MOSFET才会重新使能。迟滞恢复功能可确保PCB的温度在所有条件下均处于安全范围内。

关键字:侧控制  IC设  辅助电源

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/1030/article_12755.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
侧控制
IC设
辅助电源

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved