IDT70V9289的典型应用电路设计

2011-10-19 22:54:10来源: 互联网

IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步双口静态存储器(SRAM),可实现不同传输方式的双路高速数据流的无损传输。文中详细介绍该电路的结构和原理,给出IDT70V9289的典型应用电路及设计时应注意的问题。

  1 引言

  随着科技的发展和高速设备的不断涌现,数据传输率也越来越高。而由于传输方式的不同,各种高速设备在连接时能否实现可靠的数据交换就显得十分重要。高速双口SRAM的出现为解决这一问题提供了一种有效途径。IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步双口静态存储器,其容量为64k×16bit,具有设计简单,应用灵活等特点。

  2 IDT70V9289的结构及功能

  2.1 内部结构

  图1示出IDT70V9289的结构框图,它主要由I/O控制器、存储器阵列、计数器/地址寄存器和一些逻辑电路组成。

  

IDT70V9289的结构框图

 

  2.2 功能特点

  ·真正的双端口存储器,完全同步操作

  3.5ns时钟建立时间,0ns保持时间(所有控制、数据和地址输入)

  具有数据输入、地址和控制寄存器

  ·存储容量达1024kbit(64k×16bit);

  ·高速数据存取,其TCD(时钟上升沿与数据输入/输出的时延)为

  商业级:6/7.5/9/12ns(最大)

  工业级:9ns(最大)

  ·应用IDT公司的高性能CMOS技术,所耗低

  工作时:500mW(典型值)

  待机时:1.5mw(典型值)

  ·计数使能和重置功能

  ·通过FT/PIPE引脚选择任意端口的流通(folw-through)或流水线输出模式

  ·可对多路传输总线中的独立高位字节和低位字节进行控制

  ·LVTTL接口电平,3.3V(±0.3V)单电源供电

  2.3 引脚功能(以左边端口引脚为例)

  VDD:电源输入端,起滤波作用的旁路电容器应尽可能靠近电源引脚,并直接连接到地;

  VSS:接地引脚;

  CE0L,CE1L:使能端,当CE0L为低电平且CE1L为高电平时,电路工作。该引脚可允许每个端口的片上电路进入低功耗的待机模式;

  R/WL:读/写使能,此端为高电平时读出,为低电平时写入;

  OEL:异步输出使能;

  A0L-A15L:地址同步输入端;

  I/O0L-I/O15L:数据输入/输出端;

  CLK::存储器工作时钟,所以输入信号在该时钟上升沿有效;

  UBL:高位字节选择,低电平有效;

  LBL:低位字节选择,低电平有效;

  CNTENL:计数器使能,当时钟上升沿到来时,如果该引脚为低电平,则地址计数器工作,优先级高于其它引脚;

  CNTRSTL:计数器重置,低电平有效,优先级高于其他引脚;

关键字:IDT70V9289

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/1019/article_12323.html
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