常用半导体二极管的主要参数

2011-08-15 11:03:33来源: 互联网
常用半导体二极管的主要参数
 表13 部分半导体二极管的参数
 
类型
普通检波二极管
 
£16
³2.5
 
£1
³40
20
 
£250
 
£1
fH(MHz)150
³5
³150
100
£25
³10
 
£1
 
£10
 
£250
 
£1
fH(MHz)40
£15
³10
 
£100
锗开关二极管
 
 
³150
 
£1
30
10
 
 
£3
 
£200
40
20
 
³200
£0.9
60
40
£2
£150
 
³10
£1
70
50
 
£2
 
£150
 
 
³250
 
£0.7
60
40
 
70
50
硅开关二极管
 
³10
 
£0.8
 
A³30
B³45
C³60
D³75
E³90
 
A³20
B³30
C³40
D³50
E³60
 
 
£1.5
£3
 
³20
£4
³30
 
 
£1
 
 
£5
 
³50
 
 
£1
 
³100
 
³150
 
³200
                                  
类型
整流二极管
 
2
 
0.1
 
£1
 
25
L 600
 
 
 
6
 
0.3
 
£1
 
50
L 1000
 
 
 
 
10
 
0.5
 
£1
 
50
L 1000
 
 
 
 
20
 
1
 
£1
 
50
L 1000
 
 
 
 
65
 
3
 
£0.8
 
25
L 1000
 
 
 
 
30
 
1
 
1.1
 
50
L 1000
 
5
 
 
 
50
 
1.5
 
1.4
 
50
L 1000
 
10
 
 
 
200
 
3
 
1.2
 
50
L 1000
 
10
 
 
3.常用整流桥的主要参数
表14 几种单相桥式整流器的参数
整流
电流/A
反向工作电压/V
最高工作
结温/oC
QL1
1
0.05
 
 
 
£1.2
 
 
£10
 
 
 
130
QL2
2
0.1
QL4
6
0.3
QL5
10
0.5
QL6
20
1
QL7
40
2
 
£15
QL8
60
3
    4.常用稳压二极管的主要参数
表15 部分稳压二极管的主要参数
工作电流为稳定电流
稳定电压下
环境温度<50oC
 
稳定电流下
稳定电流下
环境温度<10oC
稳定电压
/V
稳定电流/mA
最大稳定电流/mA
反向漏电流
动态电阻/W
电压温度系数/10-4/oC
最大耗散功率/W
2CW51
2.5~3.5
 
 
 
10
71
£5
£60
³-9
 
 
 
 
0.25
2CW52
3.2~4.5
55
£2
£70
³-8
2CW53
4~5.8
41
£1
£50
-6~4
2CW54
5.5~6.5
38
 
 
£0.5
£30
-3~5
2CW56
7~8.8
27
£15
£7
2CW57
8.5~9.8
26
£20
£8
2CW59
10~11.8
 
5
20
£30
£9
2CW60
11.5~12.5
19
£40
£9
2CW103
4~5.8
50
165
£1
£20
-6~4
 
1
2CW110
11.5~12.5
20
76
£0.5
£20
£9
2CW113
16~19
10
52
£0.5
£40
£11
2CW1A
5
30
240
 
£20
 
1
2CW6C
15
30
70
 
£8
 
1
2CW7C
6.0~6.5
10
30
 
£10
0.05
0.2
5.常用半导体三极管的主要参数
表16   3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数
原 型 号
3AX31
 
测 试 条 件
新 型 号
3AX51A
3AX51B
3AX51C
3AX51D
 
极限参数
PCM(mW)
100
100
100
100
Ta=25oC
ICM(mA)
100
100
100
100
 
TjM(oC)
75
75
75
75
 
BVCBO(V)
³30
³30
³30
³30
IC=1mA
BVCEO(V)
³12
³12
³18
³24
IC=1mA
直流参数
ICBO(mA)
£12
£12
£12
£12
VCB=-10V
ICEO(mA)
£500
£500
£300
£300
VCE=-6V
IEBO(mA)
£12
£12
£12
£12
VEB=-6V
hFE
40~150
40~150
30~100
25~70
VCE=-1V  IC=50mA
 
交流参数
fa(kHz)
³500
³500
³500
³500
VCB=-6V  IE=1mA
NF(dB)
£8
VCB=-2V  IE=0.5mA  f=1kHz
hie(kW)
0.6~4.5
0.6~4.5
0.6~4.5
0.6~4.5
VCB=-6V  IE=1mA  f=1kHz
hre(´10)
£2.2
£2.2
£2.2
£2.2
hoe(ms)
£80
£80
£80
£80
hfe
hFE色标分档
管  脚
表17  3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型  号
3AX81A
3AX81B
测 试 条 件
 
极限参数
PCM(mW)
200
200
ICM(mA)
200
200
TjM(oC)
75
75
BVCBO(V)
-20
-30
IC=4mA
BVCEO(V)
-10
-15
IC=4mA
BVEBO(V)
-7
-10
IE=4mA
 
直流参数
ICBO(mA)
£30
£15
VCB=-6V
ICEO(mA)
£1000
£700
VCE=-6V
IEBO(mA)
£30
£15
VEB=-6V
VBES(V)
£0.6
£0.6
VCE=-1V  IC=175mA
VCES(V)
£0.65
£0.65
VCE=VBE  VCB=0  IC=200mA
hFE
40~270
40~270
VCE=-1V  IC=175mA
交 流
参 数
fb(kHz)
³6
³8
VCB=-6V  IE=10mA
hFE色标分档
管  脚
表18  3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
型  号
3BX31M
3BX31A
3BX31B
3BX31C
测 试 条 件
 
极限参数
PCM(mW)
125
125
125
125
Ta=25oC
ICM(mA)
125
125
125
125
 
TjM(oC)
75
75
75
75
 
BVCBO(V)
-15
-20
-30
-40
IC=1mA
BVCEO(V)
-6
-12
-18
-24
IC=2mA
BVEBO(V)
-6
-10
-10
-10
IE=1mA
 
直流参数
ICBO(mA)
£25
£20
£12
£6
VCB=6V
ICEO(mA)
£1000
£800
£600
£400
VCE=6V
IEBO(mA)
£25
£20
£12
£6
VEB=6V
VBES(V)
£0.6
£0.6
£0.6
£0.6
VCE=6V  IC=100mA
VCES(V)
£0.65
£0.65
£0.65
£0.65
VCE=VBE  VCB=0  IC=125mA
hFE
80~400
40~180
40~180
40~180
VCE=1V  IC=100mA
交 流
参 数
fb(kHz)
³8
fa³465
VCB=-6V  IE=10mA
hFE色标分档
管  脚
表19   3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型  号
3DG6
 
测 试 条 件
新 型  号
3DG100A
3DG100B
3DG100C
3DG100D
 
极限参数
CM(mW)
CM(mA)
CBO(V)
C=100µA
CEO(V)
C=100µA
EBO(V)
E=100mA
 
直流参数
CBO(mA)
CB=10V
CEO(mA)
CE=10V
EBO(mA)
EB=1.5V
BES(V)
C=10mA  IB=1mA
CES(V)
C=10mA  IB=1mA
FE
CE=10V  IC=3mA
 
交流参数
T(MHz)
CB=10V IE=3mA f=100MHz RL=5W
P(dB)
CB=-6V  IE=3mA  f=100MHz
ob(pF)
CB=10V  IE=0
hFE色标分档
管  脚
表20  3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原 型  号
3DG12
 
测 试 条 件
新 型  号
3DG130A
3DG130B
3DG130C
3DG130D
 
极限参数
PCM(mW)
700
700
700
700
 
ICM(mA)
300
300
300
300
 
BVCBO(V)
³ 40
³ 60
³ 40
³ 60
IC=100µA
BVCEO(V)
³ 30
³ 45
³ 30
³ 45
IC=100µA
BVEBO(V)
³ 4
³ 4
³ 4
³ 4
IE=100mA
 
直流参数
ICBO(mA)
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
VCB=10V
ICEO(mA)
£ 1
£ 1
£ 1
£ 1
VCE=10V
IEBO(mA)
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
£ 0.5
VEB=1.5V
VBES(V)
£ 1
£ 1
£ 1
£ 1
IC=100mA  IB=10mA
VCES(V)
£ 0.6
£ 0.6
£ 0.6
£ 0.6
IC=100mA  IB=10mA
hFE
³30
³ 30
³ 30
³ 30
VCE=10V  IC=50mA
交流参数
fT(MHz)
³ 150
³ 150
³ 300
³ 300
VCB=10V IE=50mA f=100MHz RL=5W
KP(dB)
³ 6
³ 6
³ 6
³ 6
VCB=–10V  IE=50mA  f=100MHz
Cob(pF)
£ 10
£ 10
£ 10
£ 10
VCB=10V  IE=0
hFE色标分档
管  脚
表21  9011~9018塑封硅三极管的参数
 
型  号
(3DG)
9011
(3CX)
9012
(3DX)
9013
(3DG)
9014
(3CG)
9015
(3DG)
9016
(3DG)
9018
极限参数
PCM(mW)
200
300
300
300
300
200
200
ICM(mA)
20
300
300
100
100
25
20
BVCBO(V)
20
20
20
25
25
25
30
BVCEO(V)
18
18
18
20
20
20
20
BVEBO(V)
5
5
5
4
4
4
4
 
直流参数
ICBO(mA)
0.01
0.5
0,5
0.05
0.05
0.05
0.05
ICEO(mA)
0.1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
IEBO(mA)
0.01
0.5
0,5
0.05
0.05
0.05
0.05
VCES(V)
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.35
VBES(V)
 
1
1
1
1
1
1
hFE
30
30
30
30
30
30
30
交流参数
fT(MHz)
100
 
 
80
80
500
600
Cob(pF)
3.5
 
 
2.5
4
1.6
4
KP(dB)
 
 
 
 
 
 
10
hFE色标分档
管  脚
表22 常用场效应三极管主要参数
 
参数名称
N沟道结型
MOS型N沟道耗尽型
3DJ2
3DJ4
3DJ6
3DJ7
3D01
3D02
3D04
D~H
D~H
D~H
D~H
D~H
D~H
D~H
饱和漏源电流IDSS(mA)
0.3~10
0.3~10
0.3~10
0.35~1.8
0.35~10
0.35~25
0.35~10.5
夹断电压VGS(V)
<ï1~9ï
<ï1~9ï
<ï1~9ï
<ï1~9ï
£ï1~9ï
£ï1~9ï
£ï1~9ï
正向跨导gm(mV)
>2000
>2000
>1000
>3000
³1000
³4000
³2000
最大漏源电压BVDS(V)
>20
>20
>20
>20
>20
>12~20
>20
最大耗散功率PDNI(mW)
100
100
100
100
100
25~100
100
源绝缘电阻rGS(W)
³108
³108
³108
³108
³108
³108~109
³100
                         
管脚
 
 
 

关键字:半导体  二极管

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0815/article_11251.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
半导体
二极管

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved