片式电容的可靠性试验及失效的基本分析

2011-08-10 23:02:51来源: 互联网

片式电容可靠性试验及失效的基本分析

片式电容的电性能测试之后,还有一项十分重要的工作就是片式电容的可靠性试验。如客户无特殊要求,试验就按到国标和国军标来进行的。

二、失效的基本分析
片容失效一般是由介质击穿、内电极银离子的迁移、端电极中玻璃料对与之接触的相应部分的浸蚀造成的失效。
1、介质击穿
介质击穿主要是在较高的电流冲击下,使介质体内的漏电流剧增,以使介质没办法承受而被击穿的过程。电击穿场强是反映固体介质承受电场作用能力的一种度量,是材料的特性常数之一,所以通常又称之为介质的耐电强度(耐电性能)。
2、银离子的迁移
在高温、高湿、强直流电场作用下,银离子容易迁移,时间一长,易造成电容器失效。
3、端头失效
由于端电极材料在烧结的时候,部分渗入相应部位的陶瓷介质中,使与之接触的那部分陶瓷体变得更脆,甚至改性了。因此,在焊接的过程中或在线路板装卸的过程中,端头部分易产生裂纹,使电容器失效。目前世界新研究开发出一种新的端电极材料,环氧导电型的,对陶瓷浸蚀很小,同时可以在一定的范围内发生弯曲形变。

关键字:片式  电容  可靠性

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0810/article_11224.html
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