逻辑门电路

2011-07-27 10:08:21来源: 互联网
逻辑门电路

第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
3. 2 分立元件门电路
3. 2. 1 二极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性

3. 2. 2 三极管的开关特性
一、静态开关特性及开关等效电路
二、动态开关特性

3. 2. 3 二极管门电路
一、二极管与门电路
二、二极管或门电路

3. 2. 5 组合逻辑门电路
一、与非门电路
二、或非门电路

作业:P87 3.10


第3章 逻辑门电路
3. 1 概述
门电路——用以实现各种基本逻辑关系的电子电路
正逻辑——用1表示高电平、用0表示低电平的情况;
负逻辑——用0表示高电平、用1表示低电子的情况。

(此处用数字电路网络课程或PowerPoint)


 




二、动态开关特性 (PowerPoint)
在高速开关电路中,需要了解二极管导通与截止间的快速转换过程。

当输入电压UI 由正值UF 跃变为负值UR 的瞬间,VD 并不能立刻截止,而是在外加反向电压 UR作用下,产生了很大的反向电流IR ,这时 iD= IR≈- UR/R,经一段时间 trr后二极管VD 才进人截止状态,如图3. 2. 3 (c) 所示。通常将trr 称作反向恢复时间。
产生 trr的主要原因是由于二极管在正向导通时,P区的多数载流子空穴大量流入N区,N区的多数载流子电子大量流入P区,在P区和N区中分别存储了大量的电子和空穴,统称为存储电荷。当UI 由UF 跃变为负值 UR时,上述存储电荷不会立刻消失,在反向电压的作用下形成了较大的反向电流 IR,随着存储电荷的不断消散,反向电流 也随之减少,最终二极管VD 转为截止。
当二极管VD 由截止转为导通时,在P区和N区中积累电荷所需的时间远比trr 小得多,故可以忽略。

3. 2. 2 三极管的开关特性

一、静态开关特性及开关等效电路

 


3. 2. 3 二极管门电路


一、二极管与门电路

 

 

二、二极管或门电路

 



表3.2.3 或门输入和输出的逻辑电平          表3.2.4 或门的真值表

 

        表3.2.5 非门的真值表

二、或非门电路


列出其真值表

关键字:逻辑门电路

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0727/article_11128.html
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