单结晶体管的结构

2011-07-19 21:50:01来源: 互联网

晶闸管的触发电路有很多,其中比较常见的有单结晶体管触发电路。单结晶体管又称双基极二极管,有一个发射极和两个基极[2]。它是在一块高掺杂的N型硅基片一侧的两端各引出一个接触电阻很小的极,分别称为第一基极B1 和第二基极B2。而在硅片的另一侧靠近B2处,掺入P型杂质,形成PN 结,引出电极,称为发射极。因为N 型硅基片的杂质少,所以两基极之间的电阻(体电阻)较高。值得注意的是RB1 的阻值会随发射极电流Ie 的变化而改变,具有可变电阻的特性。发射极与两个基极之间的PN 结用一个等效二极管D 表示。图3 是它的结构、符号和等效电路。

图3 单结晶体管示意图

当发射极电流为零时,外加电压UBB 在RB1 和RB2 之间按一定比例分压,A 点和B1 之间的电压为

其中浊成为单结晶体管的分压系数(又称分压比),它与管子内部结构有关,通常在0.3~0.9之间。图4是其伏安特性图。

图4 单结晶体管伏安特性图

关键字:单结晶体管

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0719/article_10787.html
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