IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷

2011-07-13 21:57:27来源: 互联网

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源(SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。

与其它竞争器件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“随着DC-DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200V MOSFET正好针对这个挑战做出了优化,所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”

这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。

产品的基本规格:

器件编号 封装 电压 (V) Id (A) 最大RDS(on) (mOhms) Qg (nC)

IRFB4615PBF TO220 150 35 39 26

IRFS4615PBF D2PAK 150 35 39 26

IRFSL4615PBF TO262 150 35 39 26

IRFB4620PBF TO220 200 25 72.5 25

IRFS4620PBF D2PAK 200 25 72.5 25

IRFSL4620PBF TO262 200 25 72.5 25

关键字:推出

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0713/article_10601.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
推出

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved