晶体管的极限参数

2011-06-18 22:46:24来源: 互联网 关键字:晶体管

以下介绍晶体管的主要极限参数。晶体管所能承受的电压、功率耗散以及所通过的电流都是有一定限度的,当其超过额定值时,轻则影响晶体管的工作性能,严重时将使其损坏。

1.集电极最大允许耗散功率Pcm
Pcm是指晶体管因温度升高引起参数的变化不超过规定值时,集电极所消耗的最大功率。 晶体管在正常工作时,集电结加的是反向偏置电压,集电结的反向电阻很高,这样,集电极电流流过集电结时就要产生大量的热量,结温就会升高,若温度过高,将导致晶体管不可逆转的损坏。人们根据晶体管最高允许结温定出最大允许耗散功率。为了降低结温,对于大功率晶体管,人们往往要另设散热片,散热片表面积越大,散热效果越好,晶体管的Pcm就可以适当提高。

2.集电极最大允许电流Icm
集电极电流增大,会导致晶体管的电流放大倍数β下降,当β降至低频电流放大倍数βo的额定倍数(通常规定为二分之一或三分之一)时,此时的集电极电流称为集电极最大允许电流Icm。因此,当晶体管的集电极电流达到Icm时,晶体管虽不致损坏,但电流放大倍数已大幅度下降。

3.集电极--发射极击穿电压BVCEO
BVCEO是指晶体管基极开路时,加在晶体管集电极与发射极之间的最大允许电压。对于NPN型晶体管而言,集电极接电源的正极,发射极接电源的负极;对于PNP型晶体管而言,集电极接电源的负极,发射极接电源的正极。

当加在晶体管集电极与发射极之间的电压大于BVCEO的值时,流过晶体管的电流会突然增大,导致晶体管永久性损坏,这种现象称为击穿。

关键字:晶体管

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0618/article_10240.html
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