220kV变电站倒闸操作中二次切换应注意的问题

2011-05-29 22:25:39来源: 互联网

220kV变电站倒闸操作中二次切换注意的问题
近年来,随着科学技术的发展,成熟的智能化、数字化设备正逐步在电力系统中推广应用,这给运行工作带来了极大的便利,同时也对传统的运行管理模式、操作流程等带来较大的冲击,笔者就微机保护在220 kV变电站使用的操作流程作一探讨。

1  BP-2A型微机母线保护倒母过程中的二次切换操作

    传统的电磁式母线保护,在进行倒母操作时,需将母差运行方式开关QK由“固定联接”切至“非固定联接”,在室外母差端子箱内将电流端子102SD由“退出”切至“投入”位置,倒母操作结束后,再根据现场规定决定母差运行方式,继而再进一步调整操作步骤。
    BP-2A型微机母线保护倒闸操作过程中的差动逻辑:对于双母线而言,在倒闸操作过程中,当某一单元的两侧隔离开关同时处于合位时,两段母线实际上经隔离开关短接,成为单母线,因此,当母线大差动动作后,将不再做故障母线选择,而应将母线上的所有单元切除。根据这一差动逻辑,在倒母操作前,只要将母差保护屏上的某运行单元的正、副母自适应小开关分别向上拨至强制投入位置,观察正、副母红、绿指示灯均应亮,倒母结束后再将该单元自适应小开关拨至自适应位置,这时运行于正母单元的红灯应亮,绿灯应熄灭,反之,运行于副母单元的绿灯应亮,红灯应熄灭。否则应将对应单元的自适应小开关向上拨至强制投入位置。此目的是恢复原母差运行方式。
    需提醒一点的是,倒母后任何单元的红、绿灯不应同时亮,否则母差运行方式将一直为非固定联接。实践证明上述操作方法简洁明了且十分安全。

2  PST1200系列数字式微机变压器保护装置旁代操作时纵差投入压板1XB的切换操作

    由于该保护装置采用双主双后的配置,第1套保护装置的主保护采用由二次谐波原理构成的差动保护,其保护范围较大(主变各开关差动流变安装处以内)。第2套保护采用波形对称原理构成的差动保护,由于110,220 kV侧采用套管流变,故保护范围相对较小。在旁代操作时,如220 kV侧,按常规的操作方法:退出主变保护I屏纵差投入压板1XB,再将I屏上相应的差流端子旁路2SD投入,220 kV旁路保护屏上的差流端子SD应同时切换至对应位置,主变开关差流端子1SD退出(注意:切换时开关必须在热备用状态)。而现在Ⅱ屏上的纵差保护回路相对是独立的,同时由于采用的是套管流变且旁代操作过程中电流回路没有发生变化,所以Ⅱ屏上的纵差投入压板1XB无需切换,同理差流端子1SD、2SD亦不需切换,这样在旁代操作过程中,主变的纵差保护由该装置的第2套保护承担(当主变开关与旁路开关并列运行时发生区内故障,其纵差保护意义不大),较以往一套保护而言,主变运行的安全系数相对提高。鉴于宿迁市有些变电站目前因旁路流变接线为△,因而旁代主变时Ⅰ屏的纵差保护无法切换,如后备保护也采用同一流变,则后备保护也同时失去,相当于只有Ⅱ屏一套保护,这是不足取的,违背了厂家的设计原则和高科技产品的开发应用,同时给主变安全运行带来隐患,给运行人员的误操作增加了几率。建议尽快完善旁路流变接线,确保主设备安全运行。

3  220kV线路保护重合闸投入、停用操作

    正常运行时,按省调要求,901保护的重合闸方式开关置“停用”位置,另一保护11C或者602的重合闸方式开关置“单相”位置,就是说只用其中的1套重合闸。
    901装置的重合闸部分设有闭重沟三回路,由3个部分组成,如图1所示。此回路闭合时,接通重合闸放电回路就闭锁了重合闸,同时在软件上将沟通三跳回路接通,保证任何故障时都三跳。单跳方式三跳时闭锁重合闸(CH置“单相”时,⑤、⑥接通)。
    (2) 操作箱TJR(启动永跳)动作闭锁重合闸(例如母差等保护动作同时启动永跳出口)。
    (3) 在线路2套重合闸全部停用时,将BCST(1LP21沟三跳压板)合上,达到任何故障三跳。
    在此强调一点,从前重合闸停用就自动沟通三跳,现在不是这样了,因为1套重合闸停用,另一套重合闸11C或602尚在单重合方式下运行,不能三跳,为此,901重合闸停用时仅闭锁该停用重合闸,而不三跳。如2套重合闸全部停用,为了任何故障都三跳,则必须把沟三跳压板1LP21投入。
    总之,当线路上的2套保护的重合闸同时使用,或者只要有1套在运行,则运行单元的重合闸方式开关投在相应的位置,重合闸出口压板投入,沟三跳压板退出。 当2套重合闸同时停用时,2套保护的重合闸方式切换开关均投在“停用”位置,重合闸压板均退出,沟三跳压板必须投入。否则,当线路发生单相故障时,保护动作后只单跳故障相,这时将造成系统长期非全相运行,这是不允许的。

关键字:切换  注意

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0529/article_9360.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
切换
注意

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved