MOSFET的基本结构电路图

2011-05-18 12:07:40来源: 互联网

图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞(cell)。正因为原胞是六角形的(hexangular),因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。已风行了十余年的IR第三代(Gen-3)HEXFET每平方厘米约有18万个原胞,目前世界上密度最高的IR第八代(Gen-8)HEXFET每平方厘米已有1740万个原胞。这就完全可以理解,现代功率半导体器件的精细工艺已和微电子电路相当。新一代功率器件的制造技术已进入亚微米时代。

图1

    图中已标明了漏(Drain)和源(Source)。漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的(Gate)来控制。按MOSFET的原意,MOS代表金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)。FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管)的名字也由此而来。然而我们从图1中可以看到,HEXFET中的栅极并不是金属做的,而是用多晶硅(Poly)来做栅极,这也就是图中所注明的硅栅极(SiliconGate)。IR在1978年时是用金属做栅极的,1979年的Gen-1HEXFET是世界上第一个采用多晶硅栅极的多原胞型功率MOSFET。

关键字:电路图

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0518/article_8675.html
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