准谐振反激的原理、应用及参数计算

2011-05-08 15:15:41来源: 互联网
如果不用固定的时钟来初始化导通时间,而利用检测电路来有效地“感测”MOSFET (VDS) 漏源电压的第一个最小值或谷值,并仅在这时启动MOSFET导通时间,结果会是由于寄生电容被充电到最小电压,导通的电流尖峰将会最小化。这情况常被称为谷值开关 (Valley Switching) 或准谐振开关。这篇文章的目的目的在于和大家分享关于准谐振反激的原理应用及参数计算方面的知识。

  准谐振 QR

  Q(Quasi)

  R( resonant)

  主要是降低mosfet的开关损耗,而mos的开关损耗主要是来源于自身的输出电容。

  


  从上图中,大家可以讨论一下,一般的开关损耗来自于那几个部分的寄生电容产生的。在传统的非连续模式反激DCM)的停滞时间内,寄生电容将会跟VDC周围的主要电感产生振荡。寄生电容上的电压会随振荡而变化,但始终具有相当大的数值。当下一个周期MOSFET导通时间开始时,寄生电容会通过MOSFET放电,产生很大的电流尖峰。由于这个电流出现时MOSFET存在一个很大的电压,该电流尖峰因此会做成开关损耗。

  

 

  从上面的图可以看到,准谐振跟一般的传统反激原理基本一样。

  Lleak是初级漏感,Rp是初级电阻,Cp是谐振电容;

  

  当副边绕组中的能量释放完毕之后(即变压器磁通完全复位),在开关管的漏极出现正弦波振荡电压,振荡频率由LP、CP决定,衰减因子由RP决定。

  对于传统的反激式变换器,其工作频率是固定的,因此开关管再次导通有可能出现在振荡电压的任何位置(包括峰顶和谷底)。

关键字:原理  应用

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0508/article_8348.html
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