满足StrataFlash嵌入式存储器要求的LDO应用电路

2011-03-29 10:39:09来源: 互联网

德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存储器(P30)。这个从J3 到 P30存储器的转变可以使系统在运行中消耗更小的总电流,因为P30 VCC电压需求降低到了1.8伏。英特尔也推荐用一个LDO线性调节器来提供1.8伏的电压基准。

TPS79918的特性

TPS79918 LDO在一个小的封装内提供了外部电气特性。它具有高(大于66dB)电源电压抑制比(PSRR)、低噪声、快起动和极好的线荷载瞬态响应。在全负载时,它只消耗40μA的地电流。运行中不需要输入电容。TPS79918是用一个很小的陶瓷输出电容保持稳定的,用一个高级的BiCMOS制造过程在200mA全输出负载的情况下得到一个110mV的压差。

对于所有负载、线、过程和温度变化,它的精密电压参考和反馈回路达到2%的全精确度。可选降噪电容的增加,提供了一个极低噪声输出电压。它要求TJ从- 40°C 到 +125°C,有三种封装方式:ThinSOT-23, 晶圆级芯片封装(WCSP), 以及 2×2 SON-6。三种封装方式的不同在于大小和能量消耗。如果我们假设周围温度为60°C,三种封装的能量消耗分别为142 mW, 156 mW,和 526 mW。这分别与最大连续负载电流119 mA, 130 mA, and 438 mA相符合。

图1表明了TPS79918的内部结构图。高电平有效的使能信号在输入电压高于欠压锁定(UVLO)门限时,将器件打开。UVLO确保输入电压可以得到,输入电压提供了一个干净的开启波形。IC保证电流限和热关断保护,以避免系统出问题。内部的500 的电阻,以及一个在NR探头上的外部的降噪电容,提供了一个RC滤波器以降低带隙噪声,这就导致了低噪声输出电压。快启开关最初使电阻短路,以便使开启时间加快到40-μs。在重负载使输出电压降低到一个轻负载的瞬间,由于有超调检测电路,IC具有很好的瞬态响应。

英特尔StrataFlash嵌入式存储器(P30)的要求

将现有的J3存储器系统转为到新的P30的存储器,需要将现有的3.0V核心电压降低到1.8 V。1.8V的核心电压需要在±0.1V范围之内调整,这可以通过TPS79918的2%的电压允许偏差来保证。LDO很好的保证了由CE#和OE#的上升沿和下降沿所引起的负载瞬态量。

图2表明甚至在从1到50mA的负载瞬态变化时,输出电压只降低了40 mV。这个性能满足了P30存储器输入电压的需求。考虑到系统性能要求,英特尔的操作说明书警告设计者既要考虑备份电流,又要考虑工作电流。图3表明,不像有些LDO,TPS79918的低静态电流在输入电压和负载电流变化的时候是常数。对于便携式的产品,低静态电流延长了电池的使用寿命。

图4表明TPS79918为P30存储器模块供电的简易。唯一的必要元件是LDO本身和它的输出电容。输入电容只有在3.0V的输出电容并不是挨着LDO的时候才会用到。降噪电容只有为噪声敏感元件供电的时候才需要,因此,在这种产品中不需要降噪电容。

从表1中可以看到,英特尔为它的StrataFlash嵌入式存储器(P30)特别了推荐TI LDO。这些LDO满足新的P30存储器的电气和温度需求。

结论

TI TPS79918 LDO与英特尔的下一代StrataFlash嵌入式存储器(P30)很相配。三种封装方式可以使设计者最好的确定其大小,而且LDO的电气特性满足系统需求,即低备份电流、瞬态响应、最大电流。

关键字:满足  嵌入式

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0329/article_6329.html
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