由推挽电路构成的高输入电阻宽带缓冲放大器

2011-03-26 15:56:43来源: 互联网

电路的功能

本电路使用了面接型N沟道FET,是一种由完善的推挽电路组成的缓冲放大器,能够缩短上升和下降的时间,及用在要求频带宽、转换速度快、输入阻抗高、输出阻抗低的电路中。

电路工作原理

TT1和TT2为N沟道、P沟道的FET,他们的VGB与ID关系特性必须相同,否则输出、输入之间就会产生失调电压。如果本电路用在OP放大器等的反馈电路中,失调电压则可忽略不计。

面接型FET的-源电压直接成为输出电路基极射极间的偏压。输出电路基极-基极之间大约需要1.5V,因此必须选用漏极饱和电流IBSS相等的FET增加。TT3的目的是使FET的偏差不至造成输出级的偏流发生变化。当要求用更高的速度工作时,应尽量加大电流,使输出级始终在线性范围内工作。

根据最大集电极电流和允许功耗选择输出晶体管,应选用FT高、COB小的器件。

元件的选择

虽然本电路从原理来看比较理想,但是输入级使用的FET(TT1.2)的VGB与ID的关系特性如发生偏差、会使工作点发生变化,所以必须选择合适的漏极饱和电流。并加以控制

关键字:放大器

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0326/article_6168.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
放大器

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved