有杰出电源抑制性能的低静态电流LDO【ADI】

2011-02-16 13:54:46来源: EEWORLD

    北京2011年2月16日电  -- Analog Devices, Inc. (ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出两款具有杰出电源抑制性能的低静态电流 LDO(低压差线性调节器)ADP124ADP125,有助于电池供电的便携式设备更长久、更高效地工作。两款 LDO 新品在100kHz 时均具有 60dB 的出色 PSRR(电源抑制比)性能,这是最接近的竞争产品的两倍;并且在 1.8V 输出时可实现 35µVrms 的低噪声性能。新款 LDO 的输入电压范围为 2.3V 至 5.5V,输出电流最高可达 500mA,输出电压最低为 0.8V,静态电流低至 210μA,500mA 负载时的电压差为 130mV,这些特性能够进一步提高便携式设备在宽输入电压范围内的工作效率。

    ADI 公司电源管理部产品线经理 Walt Heinzer 表示:“为了获得最佳的混合信号处理性能,设计便携式产品时要求解决方案尺寸要小、功耗低并具有高电源抑制比,特别是在电源为隐蔽噪声源的情况下。这些高性能 LDO 可提供 60dB 的出色 PSRR,与提供 25dB 或 30dB PSRR 的普通 LDO 相比,性能提高 30dB,从对数意义上说则是提高30倍。新款 LDO 以极具竞争力的价格实现了极低压差、低噪声和高电源抑制比的最佳组合,从而超越了其它竞争产品。”

    ADP124 提供 1.75V 至 3.3V 范围内的31种固定输出电压选项。ADP125 LDO 利用外部分压器提供 0.8V 至 5.0V 范围内的可调输出电压。两款器件经过专门设计,利用 1μF 小陶瓷输入和输出电容便可稳定工作,适合高性能、空间受限应用的要求。这些 LDO 采用紧凑型 2mm x 2mm x 0.55mm LFCSP 封装或8引脚裸露焊盘 MSOP 封装。

    主要特性和优势

    100kHz 时 PSRR 为 60dB,防止较高频率混入 RF(射频)负载,从而提高相位噪声性能。 
    初始精度为1%,能够为 FPGA 应用中的内核电压轨提供极小的容差。 
    500mA 时电压差仅为 130mV,功率损失极小,并允许设备在电池放电曲线以下的范围工作。 
    1.8V 输出时噪声低至 35µVRMS,能够为高性能模数转换器提供干净的电源,而无需添加额外的输出旁路电容。 
    在 1µF 陶瓷输出电容下稳定工作,尺寸紧凑,适合空间受限的应用。

关键字:ADP124  ADP125  LDO  ADI

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0216/article_4931.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
ADP124
ADP125
LDO
ADI

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved