新型DirectFETplus功率MOSFET系列【IR】

2011-02-14 18:55:36来源: EEWORLD

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。

   

    IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和极电荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ,通过把DC-DC转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新款IRF6811和IRF6894芯片组利用IR的DirectFET 封装技术,并采用IR的新一代硅技术来优化关键的 MOSFET参数,为下一代计算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空间小的最佳解决方案。”

    IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷,将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管,可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。

关键字:DirectFETplus  功率MOSFET  IR  IRF6811

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0214/article_4878.html
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