放大电路/调谐电路和变频电路的设计

2011-02-04 12:51:44来源: 互联网

放大电路/调谐电路和变频电路的设计

放大电路/调谐电路设计

利用图21决定偏压用的电阻值。首先,决定R1与R2值,使VG1S=0.5V。假设R2=47KΩ时,I1=VG1S/R2=(0.5/47)×10-3,则R1=5.5/I1=517KΩ在此,取R1=510KΩ。用同样的方法,可以求出R3=47KΩ,R4=100KΩ

图21 放大电路的直流工作原理点的求法(利用电阻的分压,可以决定VG1S,VG2s的通流电压。) 图22所示的为包含直流电路数值的电路。调谐电路的L为使用FCZ研究所的144-10S,此虽然为144MHz用的线圈,在此做为谐振频率为122MHz使用。在144MHz时使用C=7pF,因此,在122MHz的谐振频率时,C=7×(144/122)2,约=10(pF)

图22 高频率放大电路的设计(为了扩宽频带宽,使用交错双调谐电路。由许多谐振频率不同的电路所组合而成,各谐振电路的特性尖锐。)

由于输入侧的谐振电路的信号源阻抗为50Ω,因此,Q值很小,频带宽较为宽广。输出端的谐振电路的Q值较大,此为利用二个谐振频率不同的谐振电路电路以交错(stagger)方式组合而成,称之为交错谐振电路。

频率变换电路的设计 

 Dual-Gate FET为利用G2电压而改变顺方向传达电导|yfs|。利用此一特性,可以做乘算工作原理。

(利用局部振荡器的信号,改变FET的放大率,此为最基本的乘算电路。)

  在图23中,例如VGS2的工作原理点的1V,于G2加入1Vp-p的信号fosc,则随着fosc振幅,|yfs|会在2mS~16mS间变化。因此,放大率(×A倍)会随fosc振幅值而变化,fs的振幅会做A倍的变化。 如此,Dual-Gate FET可以当做乘算电路工作原理,而产生(fs-fosc)与(fs+fosc)信号。 图24所示的为频率变换电路的原理图。在如图(a)所示之由晶体管或FET所构成的乘算电路中,输入fs与fosc二种频率信号时,由于此为不平衡型的频率变换电路,因此,输出会有(fs-fosc),(fs+fosc),fs,fosc四种频率成分。此与DBM电路的最大不同点为,在输出也会出现载波成分fs与fosc。  DBM的Double Balanced的意思,便是fs,fosc不会出现在输出端。 图(b)所示的为利用Dual·GateFET构成频率变换电路的情形。

(此一方式的频率变换后的输出信号有4种,可以利用谐振电路只取出所希望的信号。但是,如果此4种信号的频率太接近时,则很困难取出。)

由高频率放大电路所输出的信号加在闸极1(G1),而由局部振荡电路所输出的信号加在闸极2(G2),再由LC谐振电路取出所需要的fIF ……   (fs-fosc)信号。

图25 频率变换电路的工作原理(要使频率变换效率提高,VG2S的大小很重要。在FET的场合,G2的注入电压必须为数Vp-p。)

在实际的变换电路中,如图25所示,为了使VGS2=1V,其电阻值如下。R5=220KΩ,R6=47KΩ,

另外,加在G2上的高频率电压称之为注入电压,此可以利用修整电容器CT调整为0.5~1V。

关键字:放大电路  调谐电路

编辑:神话 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0204/article_4494.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
放大电路
调谐电路

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved