功耗减半的10 Gbps中继器【美国国家半导体】

2011-01-31 23:17:07来源: EEWORLD

   

    二零一一年一月二十八日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司(National Semiconductor Corp.)(美国纽约证券交易所上市代码:NSM)宣布推出三款多通道 PowerWise® 10Gbps中继器,其特点是均衡增益高达36dB,优于所有竞争产品,而且每通道功耗只有55mW,仅为目前市场上其他解决方案的一半。此外,电缆长度也可延长一倍(以24-AWG 电缆为例,传送距离可长达20米)。这几款中继器的推出将进一步巩固美国国家半导体在高性能模拟技术领域的领导地位。

    美国国家半导体的10Gbps中继器系列采用该公司的第三代SiGe双极CMOS工艺技术制造,具有接收均衡和发送去加重功能,可为数据中心及高性能通信系统提供通道损耗补偿,因此,该系列中继器芯片可以延长电缆的传送距离,并将数据带宽提高至10.3125Gbps,因此适用于符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI 和 Infiniband 等串行传输协议的高速有源电缆组件及FR-4 背板。此外,这几款中继器也可支持存储系统的SAS/SATA频带外(OOB)信号传输功能。

     由于互联网涌现大量的多媒体内容,加上云计算及多核虚拟服务器的出现,令新一代数据中心系统对接口带宽的要求越趋严格。但互连线路的长度没变,这令功耗及信号完整性成为一个有待解决的问题。有源铜线电缆组件及背板只要内置美国国家半导体的信号调节器便可确保信号完整性,降低系统功耗,相对于光纤电缆方案,大幅降低互连成本。

    美国国家半导体10Gbps中继器令有源铜导线互连方案的功耗仅为市场上其他电缆方案的四分一,而电缆传送距离则可延长两倍。美国国家半导体新款中继器能够有这样的优势,是因为该系列芯片采用全新的SiGe双极CMOS工艺制造,可以支持较高的带宽并产生较少噪声,让信号抖动和功耗大幅减少。4通道的DS100BR410芯片适用于高密度的连接器如QSFP和CXP,而DS100BR111芯片则适用于单通道的SFP+连接器。

关键字:功耗  10Gbps  中继器  美国国家半导体  电缆

编辑:赵思潇 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0131/article_4456.html
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