MPXM2010的压力测控系统及其精度改进发方法

2011-01-04 10:21:58来源: 互联网

  引  言

  Freescale公司生产的MPXM2010器件是一种硅压阻式压力传感器。MPXM20lO精度很高,输出电压与输人的压力具有良好的线性关系。这种传感器是一块单片集成电路,集成有压力应变仪及膜阻网络,并带有激光式微调模块进行温度补偿和偏移佼正微控制器68HC908QT4则是一款低端的8位微控制器,有4路8位的A/D转换通道和16位的PWM模块,可以用于A/D和D/A转换。

  将两种芯片结合到一起可组成一套实用的低成本压力测控系统。美中不足的是它的精度低了一些,如果将A/D位数提高则会使成本大大增加。通过硬件搭配和软件上的编程可以弥补这一缺点,即不增加硬件开销而且可以提高产品性能。 

  1  压力传感器模块设计

  Freescale公司生产的MPXM2010器件是一种硅压阻式压力传感器,其内部原理如图l所示。MPXM2010精度很高,输出电压与输入的压力具有良好的线性关系。这种传感器是一块单片集成电路,集成有压力应变仪及膜阻网络,并带有激光式微调模块进行温度补偿和偏移校正。 

内部原理

  MPXM2010特点如下:

  •   压力测量范围为O~10 kPa,精度可达士O.01 kPa;
  •   在O~85℃之间具有温度补偿功能;
  •   输出信号与压力的线性关系良好;
  •   传感器接触面可选择是否带引出管口;

  有Tape&Reel的易用封装形式,具体样图如图2所示。

具体样图

  MPXM2010的输出信号比较弱,需要另加1片MOC2A60,将小信号放大,直流变为交流。这样就可以直接控制电机切断或是接通电源。在调试模块时,将各部分分离开来便于调试。运放采用MC33179,再配接一些电阻,就可以把压力传感器的信号输出,并且可以通过调节阻值来调节输出信号的大小。图3和图4是压力传感器模块设计的原理图和PCB板图。

压力传感器模块设计的原理图

压力传感器模块设计的PCB板图

  2  压力测控系统设计及其精度改进

  2.1  直联式压力测控系统

  通常情况下,使用68HC908QT4的A/D模块即可完成设计,只要把压力传感器模块的输出端接至68HC908QT4的A/D模块输入端即可。图5给出了压力测控系统的框图

压力测控系统的框图

   微控制器68HC908QT4特点如下:

   ◇4 KB Flash存储器、128 B的RAM存储器;

  ◇4路8位A/D转换器、16位PWM模块;

  ◇价格便宜,批量1000片以上每片的价格可降至1美元以下。

  MPXM2010测量范围为0~10 kPa,将其输出电压信号限制在0~5 V,则其精度为:

S=5 V/10 kPa="500" mV/kPa

  68HC908QT4的A/D为8位,电压限制5 V,则其精度为:

R=5 V/(20—1)bit≈19.61 mV/bit

  整个系统的压力精度为:

R/S=19.61/500 kPa/bit=0.039 22 kPa/bit

  如果要提高精度,将A/D升为10位,则精度为:

R/S=O.03 922X(28—1)/(210—1)kPa/bit=0.009 776 kPa/bit

  A/D升为12位后,精度为:

R/S=0.039 22×(28—1)/(212—1)kPa/bit=0.002 442 kPa/bit

  这样做确实可以提升精度,但要增加硬件的开销。利用68HC908QT4的PWM模块作为D/A转换器,可以巧妙地提高A/D变换的精度。

  2.2  改进后的压力测控系统

  误差产生的原因就是在A/D处,将小数点后的部分舍去,比如176.51 bit会当作176 bit来处理。解决问题也应该从这里人手,把误差缩小。

  误差的引出可以用D/A来解决,把A/D读进来的数据再用D/A处理一次送出来,和原来的数据做一次减法就可以得到。误差没法直接再送回A/D,但可以将其放大后再送回,再使用68HC908QT4中的另一路A/D将放大后的误差进行A/D变换,MCU得到结果后缩小相同的倍数,与原A/D变换结果相加,便是更精确的结果。图6中,整个系统可分为压力传感器模块、模拟部分、单片机部分和输出电路部分,精度提高的关键在模拟部分的设计.如图7所示。假设放大器G的放大倍数为10。A/D的性能本身并没有提升,精度仍为R=19.61 mV/bit,这个值也就是极限值。放大10倍后,原来的最大误差19.6l mV/bit被扩大为196.1 mV/bit,A/D处理的是放大后的数据,其能力就被放大了10倍。数据处理时又会将其除以lO恢复,从整体上来看就好像精度R除以10了一样,变为1.961 mV/bit。 

整个系统可分为压力传感器模块

  例如:初始A/D变换的误差为10 mV,经过放大后变为100 mV,此时再经过A/D变换,第二次遗留的误差为100 mV一19.61 mV/bit×5 bit="1".95 mV,再除以10后变为0.195 mV。误差大大地减小了,其极限值就是原精度的十分之一。

  G的放大倍数可以自己调整,但要符合所选微处理器的性能以及电路本身的精度,选的过高没有实际意义。

  图7所示的电路中,Vm、D、Vc与图6所示相同。其中D的计算值为:

D=(Vm—Vc)×(R14/R13)[l+(R17/R16)]

  G的放大倍数为(R14/R13)[1+(R17/R16)]。

 

  结语

  在产品设计研发过程中,成本是很重要的因素。巧妙地利用微控制器内的模块,辅助以相应的简单模拟电路,可以大大提高芯片的利用效率,并能提升系统性能。多利用手头的东西进行改进再创造,往往能得到事半功倍的效果。

关键字:MPXM2010  压力传感器  测控系统

编辑:金海 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2011/0104/article_2824.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
MPXM2010
压力传感器
测控系统

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved