全硅器件之新篇章:IDT 高精度CMOS 振荡器

2010-11-08 17:05:51来源: EEWORLD

    自80年代CMOS工艺大量应用于集成电路设计,逻辑摆幅大、功耗低、抗干扰能力强等优点深入人心,便捷的集成性更让设计者欣喜,纷纷投入数字ic设计中,蚕食着传统器件的领地。IDT近日推出一把利剑:号称业界精度最高的全硅 CMOS 振荡器:IDT3C02 振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的 100ppm 总频率误差。


IDT3C02 振荡器

    IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术,可以用一个 100ppm 及以下频率精度的单片 CMOS IC 取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使用任何机械频率源或锁相环(PLL)。该产品专门用于下一代存储、数据通信和连接接口,如千兆以太网、SAS、超高速 USB(USB 3.0)和 PCI Express。该产品是通用石英晶体振荡器的一种低功耗、低抖动替代方案,因此非常适合服务器和企业设计,以及采用以太网端口的数据通信设备。

    IDT 通信事业部副总裁兼总经理 Fred Zust 表示:“凭借其 100ppm 的总频率误差,IDT3C02不愧为计时行业的一个重大突破。作为一个晶振替代品的理想选择,它扩展了今年早些时候发布的晶圆形式全硅 CMOS 振荡器,扩展了 IDT 在计时领域的领导地位。”

    IDT3C02 振荡器可产生高精度的片上频率,而无需依赖压电或机械谐振器。该器件支持标准的现成可用的 CMOS 工艺,采用了可编程架构,支持各种配置选项,以适应广泛的应用范围。也许这些选项中最为关键的是工厂可编程的工作频率,与传统的石英解决方案相比,有助于缩短交货时间,包括特殊或罕见的频率。

    此外,IDT3C02 振荡器采用一个独特的模拟核设计,其功耗低于 2.5mA(空载典型值),从而为基于石英和 PLL 的高频率振荡器提供了一种低功耗替代方案,同时在 1MHz 载波偏移条件下实现了一流的 -140dBc/Hz 的相位噪声。该器件采用业界标准的 5×3.2mm 石英晶体兼容封装,即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封装,无需陶瓷密封的封装。

    IDT3C02 还具有 200nA(典型值)的低功耗待机模式,以及 100μs(典型值)的快速启动时间。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计,允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。由于该器件不包含任何运动元件,且不使用机械或压电电子谐振来产生电子频率,全硅的单片方案实现了优良的耐冲击和振动能力。

    IDT3C02 目前已向合格客户提供样品,采用的是 5×3.2mm 封装。欲了解更多信息,请访问 www.idt.com/go/CMOS-Oscillators

 

关键字:器件

编辑:刘志青 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2010/1108/article_2684.html
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