MOSFET驱动器介绍及功耗计算

2010-08-16 14:02:35来源: 电子发烧友

    我们先来看看MOS关模型:

 

    Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。

    Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。

    Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。

    这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。

    由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于 Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。

    由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

 

    开启关断的过程分析:

 

    功耗的计算:

    MOSFET 驱动器的功耗包含三部分:

    1. 由于MOSFET极电容充电和放电产生的功耗。

     与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的,特别在很低的开关频率时。

    2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。

    高电平时和低电平时的静态功耗。

    3. MOSFET 驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。

    由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗,通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管(FET)在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

关键字:MOSFET驱动器  开启  关断  功耗

编辑:金海 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2010/0816/article_2475.html
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