恩智浦推出新一代高效率低VCEsat晶体管

2010-03-05 14:47:35来源: EEWORLD 关键字:恩智浦  VCEsat  BISS  晶体管

    恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支:超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 V - 60 V,采用小型SMD封装SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。

    这些晶体管称为突破性小信号(BISS)晶体管,正如其名,它们为减少打开导通电阻确立了新的基准,使开关时间减到绝对最小值。超低VCEsat 分支的晶体管在1 A时实现了50 mV的超低饱和电压。4种新的高速开关晶体管使开关和存储时间降低到125 ns。新型BISS-4产品表明,双极晶体管技术为要求更高性能和降低开关损耗的应用提供了理想选择。

    恩智浦半导体小信号晶体管产品市场经理Frank Thiele说,“通过推出采用杰出的低电阻基底技术的第四代BISS晶体管,恩智浦为采用小型SMD封装的低VCEsat 晶体管确立了行业发展方向,为双极晶体管技术打开了新的应用。”

    新的BISS-4晶体管提供了高电路效率、低功率损耗,产生的热量要小于相同封装的标准晶体管。这些新产品的DC集电极电流为4.3 A (峰值 ICM 8 A),采用小型SOT23封装,其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶体管的两倍。新的BISS-4晶体管是为大批量消费者应用、通信应用、计算应用和汽车应用中的负荷开关、开关式电源(SMPS)和电源管理功能设计的。

    所有8种新型晶体管都满足AEC-Q101标准,其封装不含卤化物和氧化锑,满足UL 94V-0阻燃标准和RoHS标准。在2010年第一季度末即将推出的SMD封装的其它类型SOT89、SOT223和SO-8,将扩大新的低VCEsat (BISS)晶体管系列。恩智浦半导体在10年前推出了BISS晶体管家族,目前是这些产品的领导供应商。

关键字:恩智浦  VCEsat  BISS  晶体管

编辑:Frank 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2010/0305/article_2099.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:2009年电子变压器电感器行业年度回顾
下一篇:基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
全部
恩智浦
VCEsat
BISS
晶体管

小广播

独家专题更多

2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved