荷兰TU Delft开发出新原理的片上CMOS振荡器

2010-02-23 13:39:48来源: 技术在线 关键字:ISSCC  SoC  CMOS  振荡器

  荷兰代尔夫特理工大学(Delft University of Technology,TU Delft)教授Kofi Makinwa的研究小组,开发出了采用标准CMOS技术在片上(On Chip)实现高精度基准振荡器(Reference Oscillator)的技术。并在从2010年2月8日开始举行的半导体国际会议ISSCC 2010”上进行了发布(演讲编号:4.1)。未修整(Trimming)状态下的输出频率精度为±0.2%,只进行一次修整后的精度为±0.1%(温度范围在-55℃~+125℃内)。此次开发出来的振荡器设想集成于USB等通信接口LSI以及微控制器等产品中,并作为数字电路的时钟源使用。

  此次开发出来的基准振荡器,是一种利用了硅底板热扩散系数(Thermal Diffusivity )的新型振荡器。利用了块状硅(Bulk Silicon)中的热扩散系数对工艺变异(Process Variation)具有抵抗力这一特点,从而确保了精度。不过,由于热扩散系数是温度函数,因此另外通过来自带隙(Bandgap)型温度传感器的信息,进行了温度补偿。

  工作温度范围高达-55℃~+125℃。输出频率为1.6MHz,抖动(Jitter)为0.05%(rms)。功耗为7.8mW。该研究小组介绍,由于新产品是采用0.7μm的CMOS技术制造的,因此虽然目前的芯片面积达6.75mm2,但此次的技术适于微细化,通过采用数字SoC中使用的微细制造技术,可以提高振荡器的精度、减小面积。(记者:进藤 智则)

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编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2010/0223/article_2076.html
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