晶体二极管的特性和测试方法及参数

2010-02-01 14:16:20来源: 维库开发网

  一、二极管的特性

  二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示:

二极管的伏安特性曲线

图1、二极管的伏安特性曲线

  1、正向特性

  另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

  2、反向特性

  二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。

  3、击穿特性

  当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。

  4、频率特性

  由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

  二、二极管的简易测试方法

  二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表

表 二极管简易测试方法

二极管简易测试方法

  三、二极管的主要参数

  1、正向电流IF

  在额定功率下,允许通过二极管的电流值。

  2、正向电压降VF

  二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。

  3、最大整流电流(平均值)IOM

  在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。

  4、反向击穿电压VB

  二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

  5、正向反向峰值电压VRM

  二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

  6、反向电流IR

  在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值

  7、结电容C

  结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。

  8、最高工作频率fm

  二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

关键字:二极管  特性  测试

编辑:金海 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2010/0201/article_2040.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
二极管
特性
测试

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved