用0.18um CMOS设计2.5Gb/s收发器的复用器电路

2009-10-15 20:47:18来源: 互联网

  1 引言

  近年来,随着传统电信业务和互联网业务的迅猛发展,它们对网络带宽提出了越来越高的要求,由此导致了高速串行接口的出现。目前国内关于2.5 Gb/s超高速串行收发器CMOS芯片IP核研究开发尚处于起步阶段。设计开发具有自主知识产权的高性能串行收发器芯片及IP核,打破国外对高端路由器、交换器芯片的垄断,不仅能够直接大幅度降低通信、网络设备成本,产生显著的经济效益,还能带来巨大的社会效益。本文所设计的复用器,应用在2.5Gb/s收发器系统中,该收发器的系统框图如图1所示。

图1 Transceiver结构示意图

  众所周知在高速的数据传输系统中,收发器对于实现整个系统的功能起着至关重要的作用。而在收发器系统中,复用器是工作在最高速度的电路单元之一,因此复用器电路设计的好坏直接影响整个系统的性能。本文所设计的复用器,采用SMIC 0.18µm CMOS工艺实现。

  2 电路结构及其设计

  2.1 16:1复用器结构设计

  本文设计的16:1复用器是将发送数据选择模块输出的16位156.25Mb/s并行数据转换为2.5Gb/s串行数据输出,其实现框图如图2所示,该电路主要由1个16:4复用器电路和1个采用树形结构(包括3个2:1复用器)实现的4:1的复用器电路构成。其中16:4复用器用数字电路实现,4:1复用器电路用模拟电路实现。该电路接收从PLL送出的2.5GHz、1.25GHz和625MHz差分时钟,为16:4复用器和2:1复用器电路提供所需要的时钟。16位并行输入数据经过16:4复用器后输出4位并行数据送入4:1复用器,经4:1复用器后,数据变换成1比特宽度的串行数据流,发送顺序最低位在前,即TXD_P[0]最先出现在TXD_S上,TXD_P[15]最后发出。由于本电路是数模混合信号设计,仿真时需要给数字电路和模拟电路分别加激励,对于4:1复用器电路,输入采用互补的方波电压源,峰峰值为0.4V。对于16:4复用器电路,通过用Verilog语言描述的方式加激励。由于两个模块分别用数字电路和模拟电路实现,因此在两个模块的连接处要进行电平的转换。Virtuoso AMS Simulator中将接口模型划分为A2D型和D2A型两类。本设计是由数字电路送信号给模拟电路,因此要用到D2A接口模型,该模型主要有4个参数:d2a_tf,d2a_tr,d2a_vh和d2a_vl。其中d2a_tf和d2a_tr分别表示接口模型的输出从当前值上升到d2a_vh所需要的时间和下降到d2a_vl所需要的时间;d2a_vh和d2a_vl分别表示对应数字电路中的逻辑“1”和“0”而转换成的最终电压值。本设计的设置如下: d2a_tf=20ps, d2a_tr=20ps,d2a_vh=1.8V,d2a_vl=1.4V。

16:1复用器实现框图

图2  16:1复用器实现框图

  2.2  单元电路设计

  2.2.1 16:4复用器电路

  16:4复用器电路由4个4:1复用器模块和一个赋值语句模块构成,本电路均采用Verilog语言来描述。4个4:1复用器的作用是将16路156.25M数据TXD_P[15:0]复用为4路625M数据,这里我们用移位寄存器实现4:1复用器。首先将16位并行数据,分为四个4位并行数据,然后将4位并行数据送入4:1复用器,数据经过4位移位寄存器后的输出如图3所示。由于后级的模拟电路需要差分输入,因此本模块输出均为互补输出。

16:4复用器实现时序图

图3  16:4复用器实现时序图

  4:1复用器电路的Verilog实现的关键代码如下:

程序

  2.2.2 4:1复用器电路

  4:1复用器采用树形结构实现,其实现如图2所示,它主要由三个2:1的高速复用器和一个主从D触发器(MSDEF)构成。2:1复用器由一个主从D触发器(由两个锁存器级连构成),一个主从主D触发器(由三个锁存器级连构成)和一个2:1数据选择器构成。

  本文所设计的锁存器和2:1数据选择器均采用CML(电流模式逻辑)逻辑实现,其基本结构如图4(a)所示,按其功能可分为下拉逻辑网络、尾电流源和上拉电阻三个部分。它可以在电压摆幅较小的情况下正常工作。由于尾电流源的存在,CML电路的功耗近似为恒定值P=vdd*I,其中vdd是电源电压,I为直流尾电流。众所周知,传统CMOS电路的功耗为P=CL`*f*vdd2,其中f是电路的开关频率,CL`是输出节点的负载电容。因此,在高速率的条件下,CML电路的功耗比与其相似的CMOS电路的功耗要小得多。此外,降低CML电路的电压摆幅,还可以减小整个电路的延时,从而提高电路的工作速度。

图4  锁存器及2:1数据选择器电路图

  3仿真结果

  该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。输入信号为16位156.25Mb/s并行数据,如图5(a)所示。仿真的corner包括:ff(fast model)、tt(typical model)、ss(slow model)。不同corner下的仿真输出波形如图5(b)-(d)所示。从仿真的结果可以看出,输入数据为156.25Mb/s时,能较好的实现复用功能,输出数据速率为2.5Gb/s,整个电路的功耗约为6mW。

  图5 不同corner下的仿真波形

  4结论

  随着CMOS工艺的发展,采用CMOS工艺已经可以设计出高性能、低功耗、成本低的高速电路。本次设计采用0.18µm CMOS工艺,采用CML电路设计技术和数模混合设计技术,设计出了2.5Gb/s 16:1复用器电路。该电路能够在电源电压为1.8V,工作温度范围为0-70。C时,工作速率可达到2.5Gb/s,功耗约为6mW。

  本文作者创新观点:本文将16:1复用器电路进行了模块化分解,采用数模混合的设计技术分别用Verilog语言描述的方式和CML电路逻辑设计了16:4复用器电路和4:1复用器电路,并采用混合信号仿真的验证方式对所设计的16:1复用器进行了验证。用该种方法大大缩短设计和验证所需要的时间。

关键字:CMOS芯片  IP核  收发器

编辑:金海 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/1015/article_1797.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
CMOS芯片
IP核
收发器

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved