飞兆推出WL-CSP封装20V P沟道MOSFET

2009-08-22 21:47:00来源: EEWORLD 关键字:FDZ371PZ  飞兆  WL-CSP  MOSFET  电池

      飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench® 工艺 技术,为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ,能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗,FDZ371PZ能够提高便携设计的效率,并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能,以保护器件免受ESD事件影响。

      FDZ371PZ器件的WL-CSP封装使用4 x 250µm无铅焊球,具有出色的电气和热阻数值,安装时的封装高度达到0.4mm,达业界领先水平。

      FDZ371PZ是飞兆半导体全面的先进MOSFET产品系列的成员,能够满足业界对于紧凑的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的开关性能。

关键字:FDZ371PZ  飞兆  WL-CSP  MOSFET  电池

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0822/article_1681.html
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