IR推出IRF6718 DirectFET MOSFET

2009-08-13 15:25:45来源: EEWORLD

     IR 25V IRF6718采用新款大罐式DirectFET封装,为动态ORing和热插拔应用提供最低通态电阻。
 
     全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。

     IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术,提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ),同时比D2PAK的占位面积缩小60%,高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗,从而大大提高整体系统的效率。

     IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封装的器件,与同类器件相比拥有更低的通态电阻,可实现卓越的效率及热性能,适合于高密度DC-DC应用,如比D2PAK尺寸更小的服务器。另外,该器件还有助于节省电路板空间及整体系统的成本,因为在特定功率损耗下,它比现有解决方案使用更少的器件。”

     此外,IRF6718为电子保险丝及热插拔电路实现了改善的安全工作区(SOA)能力。该器件采用无铅设计,并符合RoHS标准。

     IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET系列的衍生产品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也适合DC开关应用,并且在各自的PCB尺寸内提供业界最佳的通态电阻。

关键字:IR  IRF6718  DirectFET  MOSFET

编辑:刘志青 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0813/article_1653.html
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