砷化镓和磷化铟支撑光纤网络高增长

2009-08-10 14:36:45来源: EEWORLD

      Strategy Analytics 发布最新研究报告“光纤模拟芯片市场机会:2008-2013”。化合物半导体正在越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断增长的光纤模拟芯片市场,硅 (Silicon),硅化锗 (SiGe),砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)技术各有所长,将争夺化合物半导体市场份额。报告提供对光纤模拟芯片,包括跨阻抗放大器 (TIAs - transimpedance amplifiers),激光驱动器 (laser drivers) 和后置/限幅放大器 (post/limiting amplifiers) 的增长预测。

      速度小于 2.5 Gbps 的旧版网络目前仍主导市场份额,但是在预测期内将增长缓慢。受到市场对带宽需求不断增长的驱动,10 Gbps 网络将成为行业的事实标准,在2011-2013年期间,其复合年增长率将达到20%。随着市场不断推进向更高网速的发展,40 Gbps 网络也会出现强势增长。

      Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半导体技术市场研究部主管 Asif Anwar 认为:“相比其它大多数通信市场,光纤抗市场风险的能力更强。这是因为市场对更多、更快的带宽需求似乎总不满足,而铺设光纤的资本支出也早已到位。Strategy Analytics 预期,基于砷化镓 (GaAs) 和磷化铟 (InP) 的激光驱动器和 TIAs 是推出更高速的 10 Gbps, 40 Gbps,乃至 100 Gbps 网络的关键支持技术。”

      光纤模拟芯片市场需求将受益于消费者和企业用户对“高带宽应用”使用的不断增长,这些应用包括:

    -- 基于IP (Internet Protocol)的语音,视频和数据应用
    -- 高带宽视频服务,如高清电视(HDTV) 和视频点播 (VOD)
    -- 企业存储网络
    -- 高成长的 3G 和 4G 无线标准的更高带宽回程

关键字:GaAs  InP  光纤网络

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0810/article_1643.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
GaAs
InP
光纤网络

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved