恩智浦推出Power SO8封装低于1mΩ MOSFET

2009-07-13 15:08:36来源: EEWORLD

      恩智浦半导体(NXP Semiconductors)今日宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装:LFPAK)中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体,可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势,如电源OR-ring、电机控制和高效同步降压器等。 

      恩智浦资深国际市场产品经理John David Hughes先生表示:“在MOSFET制造技术领域,改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新Trench 6工艺中采用创新技术,进一步减小了导通电阻。对客户而言,这一新的Trench技术为他们带来许多优势,例如:提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封装与广为使用的Power SO-8 PCB封装相兼容。”

      领先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL,采用Power-S08 (LFPAK)封装时25 V MOSFET的RDSon是0.9毫欧(典型值),30 V MOSFET的RDSon达到1.0毫欧(典型值)。 

      除了全球最低RDSon MOSFET之外,恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25 V、30 V、40 V和80 V,采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封装。

关键字:恩智浦  MOSFET  SO8

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0713/article_1608.html
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