IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET

2009-05-06 11:56:15来源: EEWORLD

      国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列逻辑电平极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值,适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。

      新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术,可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ,显著改善了热效率。此外,这些器件具有更高的电流额定值,多余瞬变可以带来更多防护频带,并可减少由多个MOSFET共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比,由于封装电流额定值高达195A,TO-220、D2PAK和TO-262封装的改善超过了60%;与标准D2PAK封装相比,7引脚D2PAK进一步降低了多达16%的RDS(on) ,功能更为完善。

      IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET具有基准RDS(on) ,能够由微控制器或弱电池驱动,提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC转换和DC电机驱动应用。”

      新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证,更具备所有标准功率封装,包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
 
      产品的基本规格如下:


关键字:IR  MOSFET

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0506/article_1525.html
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