Vishay Siliconix推出双P沟道功率MOSFET

2009-05-05 10:51:35来源: EEWORLD

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ,其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的,所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。

      SiA921EDJ在4.5V和2.5V条件下分别具有59 mΩ和98 mΩ的超低导通电阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,使器件在开关时比市场上任何双P沟道功率MOSFET所消耗的能量都要少。

      而其他最接近的P沟道器件在4.5V极驱动电压、大于12V的栅源额定电压下的导通电阻为95mΩ,在2.5V驱动电压下的导通电阻为141mΩ,分别比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封装的占位面积为2mmx2mm,只有TSOP-6封装尺寸的一半,而导通电阻则不相上下。

      通过推出SiA921EDJ,Vishay将第三代P沟道TrenchFET®技术应用到适用于手持式电子产品的超小封装中。新器件可用于DC-DC降压转换器,以及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、功放和电池开关。SiA921EDJ更低的导通电阻意味着更少的功耗,节约电能并延长这些设备在两次充电期间的电池寿命。

      SiA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET 符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。该器件现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为10至12周。

关键字:Vishay  SiA921EDJ  MOSFET

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0505/article_1521.html
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