Vishay Siliconix推出双P沟道功率MOSFET

2009-05-05 10:51:35来源: EEWORLD 关键字:Vishay  SiA921EDJ  MOSFET

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ,其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的,所采用的热增强PowerPAK® SC-70封装的占位面积只有2mmx2mm。

      SiA921EDJ在4.5V和2.5V条件下分别具有59 mΩ和98 mΩ的超低导通电阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,使器件在开关时比市场上任何双P沟道功率MOSFET所消耗的能量都要少。

      而其他最接近的P沟道器件在4.5V栅极驱动电压、大于12V的栅源额定电压下的导通电阻为95mΩ,在2.5V驱动电压下的导通电阻为141mΩ,分别比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封装的占位面积为2mmx2mm,只有TSOP-6封装尺寸的一半,而导通电阻则不相上下。

      通过推出SiA921EDJ,Vishay将第三代P沟道TrenchFET®技术应用到适用于手持式电子产品的超小封装中。新器件可用于DC-DC降压转换器,以及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、功放和电池开关。SiA921EDJ更低的导通电阻意味着更少的功耗,节约电能并延长这些设备在两次充电期间的电池寿命。

      SiA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET 符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。该器件现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为10至12周。

关键字:Vishay  SiA921EDJ  MOSFET

编辑:小甘 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0505/article_1521.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路的设计
下一篇:Panasonic采用微捷码Titan ADX优化模拟电路

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利
推荐阅读
全部
Vishay
SiA921EDJ
MOSFET

小广播

独家专题更多

东芝在线展会——芯科技智社会创未来
东芝在线展会——芯科技智社会创未来
2017东芝PCIM在线展会
2017东芝PCIM在线展会
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
TI车载信息娱乐系统的音视频解决方案
汇总了TI汽车信息娱乐系统方案、优质音频解决方案、汽车娱乐系统和仪表盘参考设计相关的文档、视频等资源
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved