Vishay推出第五代肖特基二极管,确立新标准

2009-03-02 08:39:22来源: EDN China

      Vishay Intertechnology, Inc.推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A,从而确定了业界的新标准。这些器件采用次微米沟槽技术,适合用作高效率、高密度解决方案的独立封装,以及 D2-Pak 封装的低成本小型替代品。RBSOA 可实现紧凑、低成本设计。

  6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 具有达 +175°C 的最大结温、超低正向压降和低反向漏电流,确保设计人员可增加汽车、太阳能和其他高温应用中的功率密度。四款器件均可提供 I-Pak 版本。

  日前发布的肖特基二极管在 6 A 和 20 A、+125°C 时最大典型正向压降低于 0.54 V(对于 45 V 器件),在 10 A 和 20 A 时最大典型正向压降低于 0.65 V(对于 100 V 器件)。45 V 二极管在 +125°C 时反向漏电流为 3 mA 和 7 mA ,而100 V 二极管为 4 mA,且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的 VF 与 IR 权衡,可实现更高的系统效率。

  这些二极管已为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、电池反接保护、续流、直流到直流模块及太阳能光伏发电旁路二极管应用进行了优化。典型的最终产品包括高功率密度 SMPS;台式电脑适配器;服务器;消费性电子产品,如 PDP、LCD 及高效音频系统;及笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器等移动电子产品。这些二极管符合针对汽车驱动和控制装置的 AEC-Q101 标准。

  45 V 和 100 V 器件分别具有 57 V 和 118 V 的典型稳定高击穿电压,可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度均增加了 25%。这些器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了 30%,雪崩时元件可获得完全屏蔽,且开关损耗极小。

  器件规格表:
部件号 IF (AV) (A) @ TC  (°C) Vfm  @ 125 °C (Typ) (V) 反向漏电流 EAS    [mJ] 最大结温[°C] 封装
在 25°C 时的典型值 (uA) 在 125°C 时的典型值 (mA)
6CUT04 2x3 A 166 °C 在 3 A 时 0.485 1 0.5 28 175 °C I-Pak
6CWT04FN 2x3 A 166 °C 在 3 A 时 0.485 1 0.5 28 175 °C D-Pak
10UT10 1x10 A 159 °C 在 5 A 时 0.53 1.5 1 54 175 °C I-Pak
10WT10FN 1x10 A 159 °C 在 5 A 时 0.53 1.5 1 54 175 °C D-Pak
20CUT10 2x10 A 159 °C 在 10 A 时 0.615 1.5 1 108 175 °C I-Pak
20CWT10FN 2x10 A 159 °C 在 10 A 时 0.615 1.5 1 108 175 °C D-Pak
20UT04 1x20 A 153 °C 在 10 A 时 0.415 6 3 108 175 °C I-Pak
20WT04FN 1x20 A 153 °C 在 10 A 时 0.415 6 3 108 175 °C D-Pak

关键字:Vishay  肖特基二极管  次微米沟槽技术

编辑:王丕涛 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0302/article_1406.html
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