64Gbit的NAND闪存亮相ISSCC

2009-02-16 15:45:59来源: 日经BP社

      美国SanDisk与东芝在“ISSCC 2009”上发布了基于4bit/单元多值技术的64GbitNAND闪存。采用43nm级工艺技术制造而成。单芯片的64Gbit内存容量为“全球最大”(东芝)。芯片面积略大,为244.45mm2。

  目前正在量产的NAND闪存中,主流的2bit/单元写入数据时需要分布4个阈值电压。4bit/单元的NAND闪存则需要分布16个阈值电压,远远超过2bit/单元,因此需要大幅缩小阈值电压的分布幅度。不过,微细化导致内存单元之间的间隔变小,单元间产生干扰,因此存在写入数据后阈值电压分布幅度变大的问题。所以,此次分3个阶段写入数据。具体而言,通过弥补单元间干扰造成的影响,同时循序渐进、细致地写入数据,提高了写入精度。采用这种写入方法,实现了4bit/单元所需的狭小的阈值电压分布幅度。

  此次,通过采用同时读取选择字线(Word Line)相关的所有内存单元等方法,写入速度达到了7.8MB/秒,与现有的2bit/单元产品相比,其性能毫不逊色。除了08年11月公开的“Advance Program”之外,该写入速度在ISSCC 2009会议提供的会议录(2009 Digest of Technical Papers)上也记录为5.6MB/秒,而发布当天却提高到了7.8MB/秒。

  此次开发的64Gbit的NAND闪存的主要规格如下。页面大小为8KB,区块大小为2MB。脉冲周期为25ns。电源电压为2.7~3.6V。

关键字:Sandisk  东芝  NAND  64Gbit  ISSCC

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0216/article_1384.html
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