NEC等开发出嵌入系统LSI的高速MRAM

2009-02-16 15:42:32来源: 日经BP社

      NEC和NEC电子2009年2月12日宣布,两公司已开发出了以嵌入系统LSI为目的的32Mbit高速MRAM(Magnetic RAM),并成功完成了实证实验。

  NEC认为,通过将芯片上的SRAM替换为MRAM,可实现即使待机时切断电源,数据也不会消失的低耗电系统LSI(参阅本站报道)。该公司此前也一直在开发可嵌入系统LSI的高速MRAM技术,但高速运行的MRAM的单元尺寸比普通MRAM大,实现大容量成了一个难题。

  此次开发的32Mbit MRAM削减了内存宏(Memory Macro)中周边电路的面积,将73%的宏面积分配给了内存单元。这样,证实了宏尺寸可缩小至与普通MRAM同样大小,有望实现大容量。

  该32Mbit MRAM主要有两大特征。(1)开发出了可提高单元占有率的新写入电路,实现了高达73%的单元占有率;(2)采用了将电压水平转换导致的延迟最小化的解码器电路,实现了9ns的周期时间。

  为了证实该产品在系统内的运行情况,在MRAM内存宏和外部输入输出间设置了转换电路,制作了可与非同期通用SRAM兼容的LSI。

  两公司今后将以检验把大容量MRAM嵌入系统中的运行情况为目标,反复进行设计和试制。此次的成果已于2月11日(美国时间)在正于美国加利福尼亚州旧金山市举行的“IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC 2009)”上发布。

关键字:MRAM  32bit  LSI  嵌入系统

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0216/article_1383.html
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