SD缓存、FeRAM、MRAM和PRAM的新技术纷纷发布

2009-02-12 17:37:40来源: 日经BP社

      在半导体电路技术国际会议“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference(2009 ISSCC)”开幕前夕的09年2月8日(星期日),主办方就4项技术分别举行了研讨会。这四个研讨会分别为汇集了以SSD为中心的内存子系统相关主题的“SSD Memory Subsystem Innovation”(F1)、致力于医用图像传感器技术的“Medical Image Sensors”(F2)、关于4G手机用RF技术的“GIRAFE:4G RF Frontends”(F3)、以及以超低电压电路设计为对象的“Ultra-Low-Voltage Circuit Design”(F4)。研讨会均从周日早上8点左右持续到傍晚。

      其中,SSD Memory Subsystem Innovation以“为专家们提供一个相互讨论内存系统重要课题的场所”(研讨会发起人兼会议主持人——东京大学竹内健)为目的。竹内表示,阻碍目前产品性能的主要原因是DRAM和硬盘间的性能瓶颈。产品的内存层按距离CPU运算电路最近的顺序依次为,“CPU的寄存器(不足1ns)、SRAM(不足1ns)、DRAM(10ns)以及硬盘(10ms),DRAM和硬盘间存在极大的性能差距。作为弥补该性能差的方法,目前主要集中在SSD的改进上”(东京大学竹内)。

      SSD Memory Subsystem Innovation上显示的SSD动向之一是,被称为新一代非易失性RAM的强介电体内存(FeRAM)、磁阻内存(MRAM)及相变内存(PRAM)供应商已开始将目标放在替换配备于SSD上的缓存用DRAM上。比如,研究FeRAM的东芝表示:“Windows OS可以将系统死机的影响控制在最小限度内,因此能够以非常短的间隔发出名为Flush Cache Commands的小规模数据。而目前的SSD用缓存为易失性DRAM,因此用户不想长时间在DRAM上保存Flush Cache Commands。这样一来,便会频繁发生NAND的区块拷贝,经常进行效率极低的写入动作。 另外,如果将SSD的缓存由DRAM改为非易失性RAM的FeRAM的话,系统便会将一定容量的Flush Cache Commands存入FeRAM,汇总后一起写入NAND闪存。由于可减少向NAND的无谓写入,因此有助于提高SSD的性能、降低耗电量以及增加可改写的次数等”(东芝)。

      此外,瑞士恒忆(Numonyx)和NEC也分别就PRAM和MRAM适合用作SSD缓存做了说明。理由与东芝基本相同。

关键字:ISSCC  SD  FeRAM  MRAM  PRAM

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0212/article_1373.html
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