SD缓存、FeRAM、MRAM和PRAM的新技术纷纷发布

2009-02-12 17:37:40来源: 日经BP社

      在半导体电路技术国际会议“2009 IEEE International Solid-State Circuits Conference(2009 ISSCC)”开幕前夕的09年2月8日(星期日),主办方就4项技术分别举行了研讨会。这四个研讨会分别为汇集了以SSD为中心的内存子系统相关主题的“SSD Memory Subsystem Innovation”(F1)、致力于医用图像传感器技术的“Medical Image Sensors”(F2)、关于4G手机用RF技术的“GIRAFE:4G RF Frontends”(F3)、以及以超低电压电路设计为对象的“Ultra-Low-Voltage Circuit Design”(F4)。研讨会均从周日早上8点左右持续到傍晚。

      其中,SSD Memory Subsystem Innovation以“为专家们提供一个相互讨论内存系统重要课题的场所”(研讨会发起人兼会议主持人——东京大学竹内健)为目的。竹内表示,阻碍目前产品性能的主要原因是DRAM和硬盘间的性能瓶颈。产品的内存层按距离CPU运算电路最近的顺序依次为,“CPU的寄存器(不足1ns)、SRAM(不足1ns)、DRAM(10ns)以及硬盘(10ms),DRAM和硬盘间存在极大的性能差距。作为弥补该性能差的方法,目前主要集中在SSD的改进上”(东京大学竹内)。

      SSD Memory Subsystem Innovation上显示的SSD动向之一是,被称为新一代非易失性RAM的强介电体内存(FeRAM)、磁阻内存(MRAM)及相变内存(PRAM)供应商已开始将目标放在替换配备于SSD上的缓存用DRAM上。比如,研究FeRAM的东芝表示:“Windows OS可以将系统死机的影响控制在最小限度内,因此能够以非常短的间隔发出名为Flush Cache Commands的小规模数据。而目前的SSD用缓存为易失性DRAM,因此用户不想长时间在DRAM上保存Flush Cache Commands。这样一来,便会频繁发生NAND的区块拷贝,经常进行效率极低的写入动作。 另外,如果将SSD的缓存由DRAM改为非易失性RAM的FeRAM的话,系统便会将一定容量的Flush Cache Commands存入FeRAM,汇总后一起写入NAND闪存。由于可减少向NAND的无谓写入,因此有助于提高SSD的性能、降低耗电量以及增加可改写的次数等”(东芝)。

      此外,瑞士恒忆(Numonyx)和NEC也分别就PRAM和MRAM适合用作SSD缓存做了说明。理由与东芝基本相同。

关键字:ISSCC  SD  FeRAM  MRAM  PRAM

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0212/article_1373.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
ISSCC
SD
FeRAM
MRAM
PRAM

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved