三星研制出首款40纳米内存 年内量产

2009-02-09 10:03:11来源: 比特网

      继05年率先开发出60纳米内存、06年开发出50纳米内存后,三星电子日前研发出了世界首款40纳米1GDDR2动态内存(1纳米等于十亿分之一米),今年第3季度将实现量产。

      据了解,40纳米内存与目前普遍使用的50、60纳米内存相比,芯片面积更小,同时可以在低电低压的环境下运行。1.2V环境下运行的40纳米内存能够比50纳米1.5V内存减耗30%以上,从而为服务器等高耗能设备提供更加环保高效的能源解决方案。

      三星电子还透露,在2009年还将实现40纳米2GDDR3的开发和量产,该产品将比去年9月量产的50纳米2GDDR3生产效率提高约60%。

关键字:三星  40nm  内存

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2009/0209/article_1326.html
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