美光联手Sun公司延长闪存存储使用寿命

2008-12-18 18:18:22来源: 电子工程世界

      美光科技有限公司今天宣布,美光与太阳微系统公司合作开发了新的单层单元(SLC)企业级NAND技术,能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作,开发了可重复写入次数达100万次的量产型设备。这一里程碑将有助于行业为Sun、美光等公司创造的固态存储的新用途做好准备。采用这项新技术,可写入/擦除次数能达到市场上现有NAND技术的最高水平。

      美光公司存储器事业部副总裁Brian Shirley说,“美光很高兴能与Sun公司合作取得这一里程碑式的成绩,这能使闪存摆脱过去标准单层单元和多层单元NAND在可写入/擦除次数方面固有的种种限制,得以应用于新的应用产品。我们相信,这一技术将彻底改变企业存储的格局,将广泛应用于固态驱动器与存储系统、磁盘缓存以及网络和工业应用等各类事务密集型应用。”

      Sun公司闪存首席技术专家Michael Cornwell说,“随着企业级固态驱动器闪存技术的市场不断成熟,Sun公司等业界领先企业将技术创新与下一代开源软件相结合,推出基于闪存的存储产品。这类产品的形式大为简化,性能也有明显突破,但成本仅为传统的磁盘存储系统的一小部分。作为闪存式存储解决方案领域的领先企业,Sun公司与美光公司密切合作,设计出了这项里程碑式的新一代NAND技术,让客户从现在开始就能利用下一代闪存技术。”

      美光公司目前提供其企业级NAND闪存试用产品,存储密度最高达32Gb。产品预计于2009年一季度投入量产。美光公司还准备明年初采用其业界一流的34nm NAND工艺,推出单层单元和多层单元这两种形式的企业级NAND产品。 

关键字:美光  Sun  存储  寿命

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/1218/article_1168.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
美光
Sun
存储
寿命

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved