恒忆新系列NAND闪存 采用41nm制造工艺

2008-12-18 18:14:00来源: 电子工程世界

      北京,2008年12月18日——NOR、NAND、RAM和PCM(相变移位存储器)解决方案提供商恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品,全部采用41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商,这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案;对于消费者,新产品将提供更大的存储空间,他们可以在设备上保存相片、视频和音乐,使用流行的多媒体应用程序。

      从机顶盒到手机,凡是消费电子产品都要储存大量的数据,因此,NAND闪存继续成为半导体行业中最大的市场之一。今天发布的新产品使恒忆更具竞争力,扩展了基于MLC(多级单元)、SLC(单级单元)技术的NAND闪存、以及Managed NAND闪存和NAND存储卡,壮大了存储子系统解决方案,包括多片封装、软件和固件单元。

      “经过我们的不懈努力,恒忆的NAND闪存产品迅速达到了市场领先水平,”恒忆公司副总裁兼数据业务部总经理Fabio Gualandris表示,“通过推出新的41nm工艺的NAND产品,恒忆将会给无线通信和嵌入式设计客户带来更高的价值,为数据存储专用闪存市场提供先进的技术和高容量存储器。配合使用恒忆的NOR产品和低成本的DRAM,恒忆为相关应用提供了存储容量与技术最优的组合。”

Numonyx NAND

      今天发布的产品意味着恒忆把先进的41nm工艺的应用到了客户需要的产品解决方案和深受市场欢迎的各种容量的存储器中,产品包括16Gb到32Gb的单片封装和多片封装的MLC产品, 2GB到32GB的eMMC Managed NAND产品,以及2GB到8GB的microSD移动存储卡。恒忆还推出一款48nm SLC 1Gb NAND产品,为嵌入式和无线应用客户提供性能更优、更安全、使用寿命更长的存储解决方案。

满足市场对高密度Managed NAND的需求

      为了满足市场对Managed NAND产品的需求,恒忆推出了41nm Managed NAND存储设备。新产品具有管理NAND存储器所需的基本控制功能,非常适合全球定位系统以及其它需要大量存储管理的设备。多功能手机厂商将从整合Managed NAND和RAM的多芯片封装中受益。

      在目前竞争解决方案中,恒忆的32GB eMMC是当前市场上存储容量最高的解决方案,而且完全兼容4.3版的JEDEC eMMC标准,可以大幅度简化设备厂商的产品开发设计。eMMC 32GB可以保存多达16000张高分辨率数码相片、8000首歌曲和长达20小时的高清视频。新的32GB嵌入式闪存集成8颗32Gb NAND闪存芯片,集成一个专用控制器。额定工作温度范围 -25 °C到+85 °C,并支持1.7V-1.95V和 2.7V-3.6V双电压电源,可满足无线产品等电池供电的移动设备对电源的要求。32GB容量的产品的样片将于2009年1月上市。

恒忆的microSD解决方案给数据存储带来更多选择

      随着移动用户对数字内容的需求日益增长,很多手机厂商给手机增加了一个 microSD存储卡。迎合这种需求,恒忆将为无线客户提供2GB到 8GB的microSD存储卡。MicroSD存储卡是为有插槽的旧式手机设计的,最大存储容量为2GB。今天的microSDHC™ 存储卡分为4GB和8GB (SDA Speed Class 6)两类,特别适合新型手机,大多数新型手机都兼容这种大容量存储卡。

恒忆48nm 1Gb SLC NAND闪存提高安全性、读写速度和使用寿命

      为了帮助用户防止数据被恶意篡改,预防应用程序被意外修改,恒忆48nm 1Gb SLC NAND增加一个128 KB的一次性可编程(OTP)区块,确保存放在这个位置的数据不会被修改或破坏。此外,恒忆的1 Gb SLC NAND还大幅度提高了存储器的性能,把数据读取速度提高了一倍,从原来的每秒13MB提到现在的每秒26MB。基于48nm工艺,恒忆1 GbSLC NAND程序运行速度是90nm产品的4倍,擦除操作是90nm产品的8倍,使产品的性能更强,用户的使用体验更好。

      为了延长存储器的使用寿命,恒忆1 Gb SLC NAND提供了标准的每528字节地址空间1位ECC的选项,需要1位EEC校验功能的应用无需升级软件或修改硬件,就能轻松升级到1位ECC校验。 恒忆48nm  1Gb  NAND产品采用300mm技术生产,为客户提供稳定供货。样片目前已经上市。

关键字:恒忆  NAND  41nm

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/1218/article_1167.html
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