恩智浦针对L波段雷达推出最高速RF功率器件

2008-11-24 15:41:49来源: 电子工程世界

恩智浦半导体NXP Semiconductors)扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线,近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally,以下简称晶体管,该晶体管在1.2GHz1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

 

针对大范围的L波段雷达应用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。

 

                       

 

恩智浦半导体RF功率产品线全球产品市场经理Mark Murphy表示:“作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司,恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准,为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破,是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果,使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。

 

恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括:

500W峰值输出功率(在1.4GHz,100µs脉冲宽度,25%占空比时)

17dB增益

50%漏极效率

更佳耐用度

能够承受高达5dB的过驱动能力

更佳脉冲顶降 (低于0.2dB

供电电压50V

无毒封装、符合ROHS标准

 

恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势,其环保的陶瓷封装,可与BeO封装互相替代。

关键字:针对  推出

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/1124/article_1096.html
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