飞兆半导体推出业界最薄的MOS MicroFET™

2008-11-21 11:29:15来源: 电子工程世界

飞兆半导体公司 () 推出全新超薄的高效率产品,满足现今便携应用的尺寸和功率要求。沟道则是沟道,带有肖特基二极管,并采用封装。相比中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新产品的体积减小55%、高度降低50%。这种薄型封装选项可满足下一代如手机的超薄外形尺寸需求。

 

这些器件PowerTrench® MOSFET工艺,能降低传导和开关损耗,提供卓越的和降低传导损耗。与采用2mm x 2mm SC-70封装类似尺寸的器件比较,提供更低的传导损耗 (降低约60%),并且能够耗散1.4W功率,而SC-70封装器件的功率消耗则为300mW 

飞兆半导体的MicroFET系列提供了具吸引力的优势如紧凑型封装和高性能,能够满足电池充电、负载转换、升压和DC-DC转换的需求。

采用无铅 (Pb-free) 端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。

关键字:半导体

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/mndz/2008/1121/article_1094.html
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